[发明专利]嵌入有纳米晶体的电容器在审
| 申请号： | 201611217121.7 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106971999A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 赖政杰;余孟廷;巫勇贤;陈光鑫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入 纳米 晶体 电容器 | ||
1.一种半导体结构，包括：
互连结构，形成在半导体衬底上；以及
电容器，设置在所述互连结构中，其中，所述互连结构包括顶部电极、底部电极、夹在所述电极顶部和所述底部电极之间的介电材料层以及嵌入所述介电材料层中的纳米晶体层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述纳米晶体层包括半导体材料。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述半导体材料包括锗。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述纳米晶体层具有在从0.5nm至10nm的范围内的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述纳米晶体层包括多个多晶颗粒。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述多晶颗粒是锗多晶颗粒。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述多晶颗粒的尺寸在从5埃至40埃的范围内。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述多晶颗粒随机分散在所述介电材料层的薄的部分中。
9.一种半导体结构，包括：
半导体衬底；
互连结构，所述互连结构具有位于所述半导体衬底上的第一金属层和位于所述第一金属层上并且临近所述第一金属层的第二金属层；以及
电容器，设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，其中，所述电容器包括介电材料层和分散在所述介电材料层中的多个半导体多晶颗粒。
10.一种形成半导体结构的方法，包括：
在衬底上形成底部电极；
在所述底部电极上形成第一介电膜；
在所述第一介电膜上形成半导体膜；
在所述半导体膜上形成第二介电膜；
对所述半导体膜实施热工艺，从而在所述第一介电膜和所述第二介电膜之间形成纳米晶体层；以及
在所述第二介电膜上形成顶部电极。
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