[发明专利]阵列基板及显示面板在审
申请号: | 201611217041.1 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106773396A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 谢克成 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
COA(Color Filter on Array,简称COA)基板即将彩膜色阻直接设置在TFT阵列基板上,这样可以较好的解决TFT阵列基板和彩膜基板对盒时对位不准的问题,COA技术是将TFT和彩色滤光层制备在同一玻璃基板上,一般是在TFT侧,故TFT侧的结构为:玻璃-Metal1(Al/Mo)-AS(G-SiNx/a-Si/n+)-Metal2-Passivition1(P-SiNx)-R/G/B-Passivition2(P-SiNx)-ITO,其中R/G/B属于CF(color filter)制程,其它膜层则由Array制程来完成,从Passivition1制程到R/G/B制程一般需要1~20天,在此期间面板上很容易沉积一些有机物、水汽等,虽然在R/G/B色阻涂布之前会对面板进行清洗,但很难将其彻底清除,仍旧会存在一些有机残留。残留的有机异物在R色阻(或G色阻或B色阻)涂布后会被覆盖,在oven高温的作用下,R色阻(或G色阻或B色阻)与残留的有机异物发生反应,造成R色阻(或G色阻或B色阻)污染,使色阻颜色发生变化甚至色阻层被破坏。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示面板,用以解决现有技术中色阻与残留有机异物发生反应造成色阻层被破坏的技术问题。
本发明一方面提供一种阵列基板,包括:衬底基板、位于衬底基板上的第一金属电极、位于衬底基板上且完全覆盖第一金属电极的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的第二金属电极、位于第二金属电极上的保护层、位于保护层上的有机层以及位于有机层上的色阻层。
进一步的,有机层为亚克力树脂层。
进一步的,有机层的厚度为100埃到3微米之间。
进一步的,色阻层包括同层设置的多个色阻块,色阻块包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
进一步的,各色阻块在有机层上呈阵列排布,且每一行的色阻块按照红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的顺序交替排列。
本发明另一方面提供一种显示面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,其中,阵列基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的第一金属电极、位于衬底基板上且完全覆盖第一金属电极的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的第二金属电极、位于第二金属电极上的保护层、位于保护层上的有机层以及位于有机层上的色阻层。
进一步的,有机层为亚克力树脂层。
进一步的,有机层的厚度为100埃到3微米之间。
进一步的,色阻层包括同层设置的多个色阻块,色阻块包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
进一步的,各色阻块在有机层上呈阵列排布,且每一行的色阻块按照红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的顺序交替排列。
本发明提供的阵列基板及显示面板,在色阻层制程之前,增加一层有机层,有机层的设置可以隔绝残留在保护层上的有机异物,从而保护色阻层不受有机物残留的影响,防止色阻层被有机异物污染。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中:
图1为本发明一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
请参考图1,本发明实施例提供一种阵列基板,包括:衬底基板1、位于衬底基板1上的第一金属电极2、位于衬底基板1上且完全覆盖第一金属电极2的栅极绝缘层3、位于栅极绝缘层3上的第二金属电极4、位于第二金属电极4上的保护层5、位于保护层5上的有机层6以及位于有机层6上的色阻层7。
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