[发明专利]一种高效紧凑型磁控镀膜装置及方法

说明书

本发明公开一种高效紧凑型磁控镀膜装置及方法，其装置包括沿基片输送方向依次连接的粗抽室、精抽室和至少一个镀膜室；镀膜室内设有呈S型的平面靶，平面靶中，靶座中部带有内凹腔体，导磁板设于内凹腔体底部，外圈磁铁和内圈磁铁分布于导磁板上，外圈磁铁围绕于内圈磁铁外周，外圈磁铁和内圈磁铁均呈S型。其方法是基片放置于基片托板上后，由基片输送机构从进出片平台上依次送入粗抽室、精抽室和镀膜室，在镀膜室内，由S型的平面靶对基片表面进行镀膜处理；镀膜完成后，由基片输送机构依次送出镀膜室、精抽室和粗抽室，最后送至进出片平台上；基片的送入方向与送出方向相反。本发明具有设备结构紧凑、镀膜效率高的特点。

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术领域，特别涉及一种高效紧凑型磁控镀膜装置及方法。

背景技术

目前，对较大面积玻璃工件的镀膜加工，一般采用直线型真空镀膜设备，即多个真空室及工件进出片平台、出片台采用直线式一字排开，基片从多个真空室的一端送入，镀膜完成后，从多个真空室的另一端送出；同时，在这种镀膜设备中，一般采用平面靶对工件进行镀膜。在实际加工生产中，这种结构的镀膜设备往往存在以下缺陷：

(1)传统的平面靶为一字型结构，其面积较小，当待加工基片面积较大时，需要采用多个平面靶拼接使用，但多个平面靶拼接在一起时会有电场，磁控互相干扰，影响平面靶的稳定放电，因此加工后的基片表面会产生镀膜不均匀的现象，影响其加工质量；

(2)传统直线式真空镀膜设备中，基片从多个真空室的一端送入，从另一端送出，该结构的生产线长度较大，多个真空室中除镀膜室外，镀膜室两端均需要设置粗抽室和精抽室，以供基片进出片过渡用，因此真空室的镀膜设备占地面积较大，设备成本也高；另外，各真空室还需要配置相应的抽真空机组，真空室数量的增加，抽真空机组的配置数量也大，进一步加大设备成本；还有，该结构的设备由于生产线长度大，其生产周期也较长，生产效率低下，不利于控制生产成本。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构紧凑、设备成本较低且生产效率较高的高效紧凑型磁控镀膜装置。

本发明的另一目的在于提供一种通过上述装置实现的高效紧凑型磁控镀膜方法。

本发明的技术方案为：一种高效紧凑型磁控镀膜装置，包括并排连接的多个真空室，多个真空室包括沿基片输送方向依次连接的粗抽室、精抽室和至少一个镀膜室；镀膜室内设有呈S型的平面靶，平面靶包括靶座、外圈磁铁、内圈磁铁和导磁板，靶座中部带有内凹腔体，导磁板设于内凹腔体底部，外圈磁铁和内圈磁铁分布于导磁板上，外圈磁铁围绕于内圈磁铁外周，外圈磁铁和内圈磁铁均呈S型。其中，S型平面靶相比传统的一字型平面靶，可实现大面积平面镀膜，且均匀性好，基片表面镀膜质量稳定；同时，靶材的利用率也得到有效提高。

所述靶座为矩形状结构，内凹腔体底部为矩形平面，导磁板为形状与矩形平面相同的平板结构，外圈磁铁的底部和内圈磁铁的底部分别嵌于导磁板上，外圈磁铁的顶面与内圈磁铁的顶面均与靶座的上表面相平齐。

所述内圈磁铁的横截面宽度大于外圈磁铁的横截面宽度。

沿基片输送方向，所述真空室前方设有进出片平台，进出片平台、粗抽室、精抽室和镀膜室之间设有连续式的基片输送机构，基片输送机构上设有承托基片用的基片托板。

所述基片输送机构为双层结构，包括上层传动辊和下层传动辊，多个上层传动辊并排分布形成上层结构，多个下层传动辊并排分布形成下层结构；沿基片输送方向，位于最末端的镀膜室内，上层传动辊为左右开合式结构，下层传动辊为上下升降式结构。该结构中，待加工基片与已完成加工的基片可同时进出，可有效缩短传动的辅助时间，进而缩短基片的镀膜周期。