[发明专利]一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法有效
| 申请号： | 201611215621.7 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107540401B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 尹孝辉;高银银;国礼杰;包全和;李申申 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 杜袁成 |
| 地址： | 243002 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三元 层状 陶瓷 钛硅化碳 金属 扩散 连接 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法，其特征在于该扩散连接方法的具体步骤如下：
(1)将三元层状陶瓷Ti3SiC2与金属铬进行表面处理，然后将所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属铬进行研磨、抛光及超声清洗；然后将处理好的所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属铬安装在热压炉中，并将所述热压炉抽真空；
(2)当所述热压炉中的真空度达到5×10-2Pa时开始加热，在温度为1000～1200℃、压力为20～30MPa下恒压保温30～90min，使所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属铬进行扩散连接；
(3)所述扩散连接完成后，在原真空条件下使所述热压炉降温至200℃，然后撤压。
2.根据权利要求1所述的一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法，其特征在于所述步骤(2)中，以2～5MPa/min的加载速率加压至20～30MPa。
3.根据权利要求1所述的一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法，其特征在于所述步骤(3)中，以5℃/min的降温速率缓慢降温至400℃，然后随炉冷却至200℃。
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