[发明专利]一种阵列天线仿真方法及服务器

权利要求书

1.一种阵列天线仿真方法，其特征在于，包括：

获取阵列天线基本阵列各单元的电场强度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各单元的电场强度θ分量相位值和分量相位值，所述基本阵列包括一维1×3基本阵列或二维3×3基本阵列；

根据所述各单元的电场强度θ分量相位值和分量相位值、所述各单元在坐标系中的位置，去除所述各单元的电场强度θ分量和分量的空间相位差；

选择与待仿真阵列天线的维数相同的基本阵列，用所述基本阵列的各单元替代所述待仿真阵列天线的各单元；

根据所述各单元的电场强度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空间相位差后的各单元的电场强度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真阵列天线各单元的端口馈电预设幅度值和预设相位值，计算所述待仿真阵列天线总电场强度的θ分量和分量；

所述选择与待仿真阵列天线的维数相同的基本阵列，用所述基本阵列的各单元替代所述待仿真阵列天线的各单元，包括：

若所述待仿真阵列天线的维数为一维，则用所述一维基本阵列的第0个单元和第2个单元分别替代待仿真阵列天线的第0个单元和第Nx-1个单元，用所述一维基本阵列的第1个单元去替代所述待仿真阵列天线的第1～Nx-2个单元，其中，Nx为所述待仿真阵列天线各单元的总个数；

若所述待仿真阵列天线的维数为二维，则用所述二维基本阵列的第0个单元、第2个单元、第6个单元和第8个单元分别替代所述待仿真阵列天线的第0行第0列的单元、第0行第Nx-1列的单元、第Ny-1行第0列的单元和第Ny-1行第Nx-1列的单元，用所述二维基本阵列的第1、3、5、7个单元分别替代所述待仿真阵列天线的第0行的第1～Nx-2列的Nx-2个单元、第1～Ny-2行的第0列的Ny-2个单元、第1～Ny-2行的第Nx-1列的Ny-2个单元以及第Ny-1行的第1～Nx-2列的Nx-2个单元，最后再用所述二维基本阵列的第4个单元替代所述待仿真阵列天线的剩余各单元其中，其中，Nx为所述待仿真阵列天线每一行各单元的总个数、Ny为所述待仿真阵列天线每一列各单元的总个数；m为从0开始计数的所述各单元的列号，取值为0～2、n为从0开始计数的所述各单元的行号，取值为0～2、相应的m＝0、n＝0对应于第0个单元、m＝1、n＝0对应于第1个单元、m＝2、n＝0对应于第2个单元、m＝0、n＝1对应于第3个单元、m＝1、n＝1对应于第4个单元、m＝2、n＝1对应于第5个单元、m＝0、n＝2对应于第6个单元、m＝1、n＝2对应于第7个单元、m＝2、n＝2对应于第8个单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据如下公式计算所述去除所述各单元的电场强度θ分量和分量的空间相位差，

对于一维基本阵列：

其中，pha′(rE_θ[m])为各单元的电场强度去除空间相位差后的所述θ分量相位值、pha(rE_θ[m])为所述各单元的电场强度θ分量相位值、rE_θ[m]为所述各单元的电场强度θ分量幅度值、k为波数，且k＝2π/λ、λ为波长、m为从0开始计数的所述各单元的列号，取值为0～2、dx是所述一维基本阵列各单元在x方向上与坐标系原点之间的间距；

为各单元的电场强度去除空间相位差后的所述分量相位值、为所述各单元的电场强度分量相位值、为所述各单元的电场强度分量幅度值；

对于二维基本阵列：

其中，pha′(rE_θ[m][n])为各单元的电场强度去除空间相位差后的所述θ分量相位值、pha(rE_θ[m][n])为所述各单元的电场强度θ分量相位值、rE_θ[m][n]为所述各单元的电场强度θ分量幅度值、k为波数，且k＝2π/λ、λ为波长、dx是所述二维基本阵列各单元在x方向上与坐标系原点之间的间距、dy是所述二维基本阵列各单元在y方向上与坐标系原点之间的间距；

为各单元的电场强度去除空间相位差后的所述分量相位值、为所述各单元的电场强度分量相位值、为所述各单元的电场强度分量幅度值。