[发明专利]一种集成环境光及紫外光传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种集成环境光及紫外光传感器，包括：

硅衬底；

环境光传感器，其形成于所述硅衬底，为硅光电二极管，用于感测预定波段的环境光；

紫外光传感器，其形成于所述硅衬底，为硅基化合物半导体光电二极管，用于感测紫外光；以及

光学薄膜，其形成于所述环境光传感器的表面，用于对光进行过滤，以允许所述预定波段的光入射到所述环境光传感器，

其中，

在所述硅衬底表面形成有凹槽，在所述凹槽内壁形成有缓冲层，在所述缓冲层表面具有化合物半导体叠层被刻蚀而形成的所述硅基化合物半导体光电二极管的台面结构。

2.如权利要求1所述的集成环境光及紫外光传感器，其中，

在硅衬底中形成有隔离部，其位于所述环境光传感器和紫外光传感器之间。

3.如权利要求1所述的集成环境光及紫外光传感器，其中，

在所述硅衬底、环境光传感器和紫外光传感器表面形成有保护层，所述保护层形成有开口，用于所述环境光传感器和所述紫外光传感器与各自的电极接触。

4.一种集成环境光及紫外光传感器的制造方法，包括：

在硅衬底中形成用于隔离环境光传感器和紫外光传感器的隔离部；

在所述硅衬底中形成所述紫外光传感器，所述紫外光传感器为硅基化合物半导体光电二极管，用于感测紫外光；

在所述硅衬底中形成所述环境光传感器，所述环境光传感器为硅光电二极管，用于感测预定波段的环境光；以及

在所述环境光传感器的表面形成光学薄膜，该光学薄膜用于对光进行过滤，以允许所述预定波段的光入射到所述环境光传感器，

其中，在所述硅衬底中形成所述紫外光传感器的步骤包括：

在所述硅衬底表面形成凹槽；

在所述凹槽内壁形成缓冲层；

在所述缓冲层表面形成化合物半导体叠层；以及

刻蚀所述化合物半导体叠层，以形成所述硅基化合物半导体光电二极管的台面结构。

5.如权利要求4所述的集成环境光及紫外光传感器的制造方法，其中，所述方法还包括：

在所述硅衬底表面形成保护层，并在所述保护层形成开口，所述开口用于所述环境光传感器和所述紫外光传感器与各自的电极接触。

6.如权利要求4所述的集成环境光及紫外光传感器的制造方法，其中，在所述硅衬底中形成所述环境光传感器的步骤包括：

在所述硅衬底中引入杂质，以形成P-N结，所述P-N结成为所述硅光电二极管。