[发明专利]一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列结构量子点发光二极管器件，从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其特征在于，所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。

2.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述蜂窝孔的孔径为10~500nm。

3.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述蜂窝孔的孔间距为30~600nm。

4.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述蜂窝孔的孔深为100nm~150μm。

5.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述电子传输层上还设置有一导热层。

6.根据权利要求5所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述导热层材料为石墨烯或碳化硅中的一种。

7.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的空穴注入层为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂过渡金属氧化物、金属硫化物、掺杂金属硫化物中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的电子传输层材料为n型ZnO、TiO₂、SnO、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3三(8-羟基喹啉)铝、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一种或多种。

10.一种阵列结构量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、在衬底表面沉积一层底电极；

B、在底电极表面移植一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜；

C、在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔道内沉积一层空穴注入层

D、在所述阳极氧化铝膜蜂窝孔道内的空穴注入层上沉积一层空穴传输层；

E、在所述阳极氧化铝膜蜂窝孔道内的空穴传输层上沉积一层量子点发光层；

F、在所述阳极氧化铝膜蜂窝孔道内的量子点发光层上沉积一层电子传输层；

G、在所述电子传输层表面沉积顶电极，得到所述阵列结构量子点发光二极管器件。