[发明专利]半导体基板结构

权利要求书

1.一种半导体基板结构，包括：

第一热传导部分，具有第一热传导系数，该第一热传导部分包括：

基板的第一区，该基板具有顶面和底面；及

热阻绝材料图案，设置于该基板的该第一区的该底面上；

第二热传导部分，相邻该第一热传导部分，且具有不等于该第一热传导系数的第二热传导系数，该第二热传导部分包括：

该基板的第二区，其中该第二区相邻该第一区；以及

半导体图案层，覆盖该第一热传导部分的该基板的该顶面，且于一平面图中，该第一热传导部分的一边界位于该半导体图案层的一边界内，且该半导体图案层的该边界位于该基板的该第二热传导部分的边界内，

其中于该平面图中，该热阻绝材料图案与该第二热传导部分不重叠，

其中该第一区为该基板的中央区域，该第二区为该基板的边缘区域，且该第一热传导系数小于该第二热传导系数。

2.如权利要求1所述的半导体基板结构，其中该热阻绝材料图案的热传导系数小于该第二热传导系数。

3.如权利要求1所述的半导体基板结构，其中该热阻绝材料图案的热传导系数与厚度之间的比例为10^-5至10^-7W/m²K。

4.如权利要求1所述的半导体基板结构，其中于该平面图中，该热阻绝材料图案的一边界位于该半导体图案层的一边界内。

5.如权利要求1所述的半导体基板结构，还包括：

掩模图案，设置于该基板的该第二区的该顶面上，其中于该平面图中，该掩模图案与该热阻绝材料图案不重叠。

6.如权利要求5所述的半导体基板结构，其中该掩模图案围绕该热阻绝材料图案。

7.如权利要求1所述的半导体基板结构，其中该第二热传导部分包括：

热传导材料图案，设置于该基板的该第二区的该底面上，其中于该平面图中，该热传导材料图案与该第一热传导部分不重叠。

8.如权利要求7所述的半导体基板结构，其中该热传导材料图案的热传导系数大于该第一热传导系数。

9.如权利要求7所述的半导体基板结构，其中该热阻绝材料图案相邻该热传导材料图案。

10.一种半导体基板结构，包括：

第一热传导部分，具有第一热传导系数，该第一热传导部分包括：

基板的第一区，该基板具有顶面和底面；及

掺杂区，从该基板的该第一区的该底面延伸至部分该基板中；

第二热传导部分，相邻该第一热传导部分，且具有不等于该第一热传导系数的第二热传导系数，该第二热传导部分包括：

该基板的第二区，其中该第二区相邻该第一区；以及

半导体图案层，覆盖该第一热传导部分的该基板的该顶面，且于一平面图中，该第一热传导部分的一边界位于该半导体图案层的一边界内，且该半导体图案层的该边界位于该基板的该第二热传导部分的边界内，

其中，该掺杂区与该第二热传导部分不重叠，且该第一区为该基板的中央区域，该第二区为该基板的边缘区域，且该第一热传导系数小于该第二热传导系数。

11.如权利要求10所述的半导体基板结构，其中该掺杂区的热传导系数小于该第二热传导系数。

12.如权利要求10所述的半导体基板结构，其中该掺杂区内具有掺质，该掺质包括磷或硼。