[发明专利]用于热退火的方法以及通过该方法形成的半导体器件

权利要求书

1.一种用于热退火的方法，包括：

对半导体区域进行结构化以形成所述半导体区域的结构化的表面；

在所述半导体区域中布置掺杂剂；以及

通过用具有至少一个离散波长的电磁辐射至少部分辐照所述结构化的表面以至少部分地加热所述半导体区域，从而至少部分地活化所述掺杂剂；以及

在与所述掺杂剂相反的一侧的所述半导体区域之上或之中这两者中的至少之一处形成掺杂区域，其中所述掺杂区域包括不同于所述掺杂剂的掺杂类型以形成包括所述掺杂剂和所述掺杂区域的功率半导体电路元件，

其中，所述方法还包括在活化所述掺杂剂之后在所述结构化的表面上方形成不透明层，所述不透明层覆盖多于一半的结构化的表面；以及

其中，对所述半导体区域进行结构化包括形成粗糙表面以降低所述半导体区域对所述电磁辐射的反射率。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在对所述半导体区域进行结构化之前和之后这两者中的至少一种情况下，将所述掺杂剂布置在所述半导体区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中仅通过所述结构化的表面对所述半导体区域进行加热。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述电磁辐射包括脉冲辐射和相干辐射中至少之一。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中加热所述半导体区域包括非热平衡加热过程。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中对所述半导体区域进行结构化，使得所述结构化的表面的第一区域的第一反射特性不同于所述结构化的表面的第二区域的第二反射特性。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中所述结构化的表面包括小面化结构。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中所述结构化的表面包括以下中的至少之一：沟槽结构、针状结构、多孔结构、多个锥形突起。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中所述结构化的表面包括棱锥结构。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中对所述半导体区域进行结构化包括通过对所述半导体区域进行各向异性蚀刻而形成无规棱锥。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中对所述半导体区域进行结构化包括使用用于调节所述结构化的表面的反射率的空间分布的掩模。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中在活化所述掺杂剂期间，所述结构化的表面被加热至低于所述结构化的表面的蒸发温度的温度。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中活化所述掺杂剂包括使所述半导体区域至少部分地再结晶。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中在对所述半导体区域进行结构化期间，所述半导体区域的粗糙度增加；并且

其中在活化所述掺杂剂期间，所述半导体区域的粗糙度减小。

15.根据权利要求1所述的方法，

其中辐照所述结构化的表面包括使用激光源。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成电接触所述结构化的表面的至少一个集电极接触焊盘。

17.根据权利要求1所述的方法，

其中对所述半导体区域进行结构化包括对所述半导体区域进行减薄。