[发明专利]一种低功耗电源电路在审
申请号: | 201611203786.2 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106774600A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 周晓亚 | 申请(专利权)人: | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 电源 电路 | ||
技术领域
本发明属于集成电路设计领域,关于一种电源电路,特别地涉及到一种低功耗电源电路。
背景技术
在模拟集成电路中,电源电路是最基本的模块之一,为芯片不同模块提供稳定、大小合适的电源。在近些年中便携式电子设备发展极其迅猛,对芯片低功耗的需求极大。本发明提供一种低功耗电源电路结构,其静态功耗极低,同时具有集成度高、实现面积小的优势。
发明内容
鉴于对低功耗、小型化的电源电路的应用需要,本发明提供了一种低功耗电源电路。
本发明的上述目的,将通过以下技术方案得以实现:
一种低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络。电压比较器的反相输入端连接参考电压Vref,同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络输出Vfb,电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接;比较器的输出经过电压调节电路输出到功率管M3的栅极;功率管M3的漏极连接由MOS构成的反馈网络。
进一步地,所述电压调节电路,其特征在于,所述电压调节电路包括反相器INV、NMOS管M1、NMOS管M2;所述反相器INV的输入与比较器Comp的输出连接,反相器INV的高电压端接电源,反相器INV的输出与功率管M3的栅极连接,反相器INV的低电压端连接NMOS管M1的漏极,NMOS管M1的源极接NMOS管M2的漏极,NMOS管M2的源极接地,NMOS管M1的栅极和NMOS管M2的栅极均连接到偏置电压Vbias。
进一步地,所述的功率管NMOS管M3的栅极与电压调节电路的输出端连接,功率管M3的漏极与电源相接,功率管M3的源极与反馈网络的NMOS管M4的漏极相连接。
进一步地,所述反馈网络,其特征在于,所述NMOS管M4的漏极和栅极与功率管M3的源极相连接,NMOS管M4的源极与NMOS管M5的漏极连接这,NMOS管M5的栅极与NMOS管M4的栅极连接,NMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极连接,NMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极连接,NMOS管M7的源极接地,NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极连接均连接到NMOS管M6的漏极,电压比较器的正相输入端与NMOS管M5的源极、NMOS管M6的漏极连接。
本发明的提供的技术方案有益效果在于:本发明所提供的一种低功耗的电源电路,结构简单采用了MOS管级连的反馈网络,使用电压比较器为功率管提供一个控制信号,并加入电压调节电路,最终使电源电路输出电压稳定;此电路结构有效的控制了芯片面积的开销,同时能很好控制整个电路的功耗,特别适合应用在低功耗、极低功耗的要求环境下。
以下便结合实施例附图,对本发明提供的技术方案的具体实施方式作进一步的说明,以便使得本发明更容易理解、实施。
附图说明
图1 本发明提出的低功耗电源电路结构。
具体实施方式
具体实施方式将进一步对本发明的精神进行说明,在此本发明的示意性实施例及说明用于解释本发明,但是不能认为是对本发明的限定。
如图1所示,低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络。电压比较器的反相输入端连接参考电压Vref,同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络输出Vfb,电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接;比较器的输出经过电压调节电路输出到功率管M3的栅极;功率管M3的漏极连接由MOS构成的反馈网络。
所述电压调节电路,其特征在于,所述电压调节电路包括反相器INV、NMOS管M1、NMOS管M2;所述反相器INV的输入与比较器Comp的输出连接,反相器INV的高电压端接电源,反相器INV的输出与功率管M3的栅极连接,反相器INV的低电压端连接NMOS管M1的漏极,NMOS管M1的源极接NMOS管M2的漏极,NMOS管M2的源极接地,NMOS管M1的栅极和NMOS管M2的栅极均连接到偏置电压Vbias。
所述的功率管NMOS管M3的栅极与电压调节电路的输出端连接,功率管M3的漏极与电源相接,功率管M3的源极与反馈网络的NMOS管M4的漏极相连接。
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