[发明专利]LPCVD法沉积硅锗膜的方法在审
| 申请号： | 201611203154.6 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783542A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 胡绍璐 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C1/00;C23C16/24;C23C16/42 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | lpcvd 沉积 硅锗膜 方法 | ||
1.一种LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：提供生长有SiO2层的基底；
S2：在SiO2层上高温预沉积非晶硅种子层；
S3：在低温下，于该非晶硅种子层上沉积硅锗材料以得到硅锗膜。
2.根据权利要求1所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述S1中的高温为425℃-550℃。
3.根据权利要求1所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述S3中的低温为380℃-420℃。
4.根据权利要求1或2所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述高温为450℃、475℃、500℃或525℃。
5.根据权利要求1或3所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述低温为390℃、400℃或410℃。
6.根据权利要求1所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述S2中形成的非晶硅种子层厚度为10nm-30nm。
7.根据权利要求1或6所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述S2中形成的非晶硅种子层厚度为20nm。
8.根据权利要求1所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述S3中形成的硅锗膜厚度为2μm-3.5μm。
9.根据权利要求1或8所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，所述硅锗膜厚度为2.6μm。
10.根据权利要求1所述的LPCVD法沉积硅锗膜的方法，其特征在于，在所述S1中，所提供的具有SiO2层的基底通过如下方式获得：对基底进行清洗，在基底上生长SiO2层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
