[发明专利]接垫结构及其制造方法

权利要求书

1.一种接垫结构，其特征在于，包括：

多个材料对，相互堆叠于一基底上以形成一阶梯结构，该阶梯结构的一阶包括一个材料对，每一个材料对包括导体层以及位于该导体层上的一介电层；以及

多个接垫，每一个接垫嵌入于该阶梯结构的一阶中且外露于该阶所对应的介电层与该阶上方的另一阶，其中该些接垫之一者的厚度大于该些导体层之一者的厚度；还包括一垫层位于该阶梯结构与该基底之间；

所述接垫的宽度大于接触窗开口的宽度加上2个规范值，所述规范值取决于进行接触窗开口工艺的曝光机台。

2.根据权利要求1所述的接垫结构，其中该多个材料对沿着XY方向的平面延伸，该多个材料对之一者突出于其上方的该多个材料对之另一者的一侧且暴露出相对应的该接垫的表面。

3.根据权利要求2所述的接垫结构，其特征在于，还包括多个插塞沿着Z方向延伸且分别配置于该些接垫上，其中各该些接垫的宽度大于所对应的该插塞的底部宽度。

4.根据权利要求1所述的接垫结构，其中从上视角度而言，当该些接垫的形状为长条形时，该些接垫沿着X方向排列并沿着Y方向延伸。

5.一种接垫结构的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底上形成一堆叠结构，该堆叠结构包括相互堆叠的多个材料对，该多个材料对由上至下包括第一材料对至第N材料对，N为大于1的整数，其中每一个材料对包括一第一层以及位于该第一层上的一第二层；

在该第一材料对中形成多个第一开口，该些第一开口暴露出第二材料对的顶面；

进行一图案化工艺，以将该堆叠结构图案化为一阶梯结构，并在该阶梯结构的每一阶中形成一第二开口，其中该些第二开口的垂直投影位置分别对应于该些第一开口的位置；以及

将多个第三层分别填入该些第二开口中，其中该些第三层之一者的厚度大于该些第一层之一者的厚度。

6.根据权利要求5所述的接垫结构的制造方法，其特征在于，将该些第三层分别填入该些第二开口中之后，还包括：

在该基底上形成一介电层，该介电层覆盖该阶梯结构的表面与该些第三层的顶面；

在该介电层中形成多个接触窗开口，该些接触窗开口分别暴露出该些第三层的顶面；以及

将多个插塞分别填入该些接触窗开口中，使得该些插塞之一者与所对应的该第三层连接。

7.根据权利要求6所述的接垫结构的制造方法，其特征在于，该些第一层的材料包括氮化硅或多晶硅，该些第二层的材料包括氧化硅，该些第三层的材料包括氮化硅或多晶硅。

8.根据权利要求7所述的接垫结构的制造方法，其特征在于，在该基底上形成该介电层之后且形成该些接触窗开口之前，还包括进行一钨取代工艺，以将该些第一层的材料与该些第三层的材料取代为钨(W)。

9.根据权利要求5所述的接垫结构的制造方法，其特征在于，还包括在该阶梯结构与该基底之间形成一垫层。