[发明专利]非反相放大器电路有效
| 申请号： | 201611201119.0 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106911310B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李海承 | 申请（专利权）人： | 奥姆尼设计技术公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非反相 放大器 电路 | ||
1.一种提供电压增益的非反相放大器电路，包括：
输入晶体管；
负载晶体管，所述负载晶体管具有控制端子和参考端子；以及
反馈晶体管；
其中：
所述输入晶体管接收输入信号；
所述输入晶体管被电耦合到所述负载晶体管和所述反馈晶体管；
所述负载晶体管的所述控制端子被电耦合到偏置电压；
所述反馈晶体管被电耦合到所述负载晶体管，从而提供负反馈；
所述负载晶体管的所述参考端子用作所述放大器电路的输出；
所述输入晶体管是MOS晶体管；并且
所述负载晶体管是具有栅极和源极的MOS晶体管，所述栅极对应于所述控制端子，并且所述源极对应于所述参考端子。
2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述反馈晶体管具有比所述负载晶体管更高的阈值。
3.一种提供电压增益的非反相放大器电路，包括：
输入晶体管；
负载晶体管，所述负载晶体管具有控制端子和参考端子；以及
反馈晶体管；
其中：
所述输入晶体管接收输入信号；
所述输入晶体管被电耦合到所述负载晶体管和所述反馈晶体管；
所述负载晶体管的所述控制端子被电耦合到偏置电压；
所述反馈晶体管被电耦合到所述负载晶体管，从而提供负反馈；
所述负载晶体管的所述参考端子用作所述放大器电路的输出；
所述输入晶体管是双极型晶体管；并且
所述负载晶体管是具有基极和发射极的双极型晶体管，所述基极对应于所述控制端子，并且所述发射极对应于所述参考端子。
4.一种提供电压增益的非反相放大器电路，包括：
输入晶体管；
负载晶体管，所述负载晶体管具有控制端子和参考端子；
反馈晶体管；以及
电耦合到所述输入晶体管的电流源，所述电流源增加通过所述输入晶体管的电流，
其中：
所述输入晶体管接收输入信号；
所述输入晶体管被电耦合到所述负载晶体管和所述反馈晶体管；
所述负载晶体管的所述控制端子被电耦合到偏置电压；
所述反馈晶体管被电耦合到所述负载晶体管，从而提供负反馈；
所述负载晶体管的所述参考端子用作所述放大器电路的输出。
5.根据权利要求4所述的电路，其中，所述输入晶体管是MOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的电路，其中，所述负载晶体管是具有栅极和源极的MOS晶体管，所述栅极对应于所述控制端子，并且所述源极对应于所述参考端子。
7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述反馈晶体管具有比所述负载晶体管更高的阈值电压。
8.一种提供电压增益的非反相放大器电路，包括：
输入晶体管；
负载晶体管，所述负载晶体管具有控制端子和参考端子；
反馈晶体管；以及
电耦合到所述反馈晶体管和所述负载晶体管的电平移位电路，
其中：
所述输入晶体管接收输入信号；
所述输入晶体管被电耦合到所述负载晶体管和所述反馈晶体管；
所述负载晶体管的所述控制端子被电耦合到偏置电压；
所述反馈晶体管被电耦合到所述负载晶体管，从而提供负反馈；
所述负载晶体管的所述参考端子用作所述放大器电路的输出。
9.根据权利要求8所述的电路，其中，所述电平移位电路包括充电到预定电压的电容器。
10.根据权利要求8所述的电路，其中，所述电平移位电路包括MOS晶体管和电流源。
11.根据权利要求8所述的电路，其中，所述电平移位电路包括电阻器和电流源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥姆尼设计技术公司，未经奥姆尼设计技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611201119.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
