[发明专利]一种光透半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种光透半导体材料，其特征在于，包括基底和附着于所述基底上的液态金属层；所述液态金属层上方为氧化锌片层结构；所述液态金属层与所述氧化锌片层结构接触的表面为一层稳定氧化膜。

2.根据权利要求1所述的光透半导体材料，其特征在于，所述液态金属为镓、镓铟合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金中的一种。

3.根据权利要求2所述的光透半导体材料，其特征在于，所述液态金属为镓铟二元合金或镓铟锡三元合金。

4.根据权利要求3所述的光透半导体材料，其特征在于，所述液态金属为镓铟二元合金，其中，镓的含量为质量分数50～90％，其余为铟；或，为镓铟锡三元合金，其中，镓的含量为质量分数60～80％，铟的含量为质量分数10～30％，其余为锡。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的光透半导体材料，其特征在于，所述液态金属层的厚度为20μm～200μm。

6.一种光透半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在基底上均匀喷涂液态金属层，静置至所述液态金属层的表面形成稳定氧化膜，得复合材料；

(2)将步骤(1)所得复合材料浸没于包含硝酸锌、六次甲基四胺和水的基液中，充分静置后取出，即得。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述液态金属为镓、镓铟合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金中的一种。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述液态金属为镓铟二元合金或镓铟锡三元合金。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述液态金属为镓铟二元合金，其中，镓的含量为质量分数50～90％，其余为铟；或，为镓铟锡三元合金，其中，镓的含量为质量分数60～80％，铟的含量为质量分数10～30％，其余为锡。

10.根据权利要求6～9任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述液态金属层的厚度为20μm～200μm。

11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述基液中，硝酸锌的含量为质量分数0.3～0.5％，六次甲基四胺的含量为质量分数0.6～0.8％，余量为去离子水。

12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述充分静置具体为：在30℃以上条件下静置1h以上。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述充分静置具体为在30～50℃静止5～8h、在50～80℃静止3～5h或在80～100℃静止1～3h。

14.权利要求6～9、11～13任意一项所述方法制备而成的光透半导体材料。