[发明专利]非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器在审
| 申请号： | 201611197818.2 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108233172A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑俊守;孙雨舟;王祥忠 | 申请（专利权）人： | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/10 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 相移 相移光栅 半导体激光器 非对称结构 光栅占空比 激光器 刻蚀 相等 非中心位置 输出光功率 折射率调制 光栅周期 非对称 光功率 单模 减小 烧孔 申请 邻近 输出 | ||
1.一种非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移光栅包括位于相移光栅非中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，所述第一光栅和第二光栅的长度不同，第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧的刻蚀深度小于远离相移结构两侧的刻蚀深度。
2.根据权利要求1所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。
3.根据权利要求1所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述第一光栅和第二光栅的占空比为(0，1)范围内的任意值且两者占空比相等，或第一光栅和第二光栅的占空比分别在(0，0.5)和(0.5，1)范围且两者之和等于1。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述第一光栅和第二光栅的长度之比满足1<L1:L2≤3，L1和L2分别为第一光栅和第二光栅的长度。
5.根据权利要求4所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧相同长度L0的刻蚀深度为H0，第一光栅和第二光栅中远离相移结构两侧的刻蚀深度为H，其中，0<L0 <L2，H0<H。
6.一种DFB半导体激光器，所述DFB半导体激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延层，DFB激光腔包括依次设置的光栅刻蚀阻止层、相移光栅、光栅覆盖层，其特征在于，所述相移光栅包括位于相移光栅非中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，所述第一光栅和第二光栅的长度不同，第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧的刻蚀深度小于远离相移结构两侧的刻蚀深度，DFB半导体激光器两端面的输出功率不相等，以增大DFB半导体激光器的有效输出光功率。
7.根据权利要求6所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述第一光栅和第二光栅的长度之比满足1<L1:L2≤3，L1和L2分别为第一光栅和第二光栅的长度。
8.根据权利要求7所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧相同长度L0的刻蚀深度为H0，第一光栅和第二光栅中远离相移结构两侧的刻蚀深度为H，其中，0<L0 <L2，H0<H。
9.根据权利要求6所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器的两侧端面均镀有抗反射膜。
10.根据权利要求6所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器为掩埋异质结型激光器或脊波导型激光器。
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