[发明专利]碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法

权利要求书

1.一种碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、原料准备：以组成电解液的有机溶剂组分作为反应体系溶剂；以碳素类储能材料作为改性材料；

所述的组成电解液的有机溶剂组分为碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯或碳酸甲乙酯中的任意几种的组合作为反应体系溶剂；

所述碳素类储能材料包括石墨烯、人造石墨、天然石墨、中间相碳微球、炭黑导电剂中的任意一种；

(2)、原料混合：将改性材料与反应体系溶剂混合均匀，并放入反应釜中准备反应；改性材料与反应体系溶剂体积比为1：1～1：2；

(3)、加热反应：将反应釜密封，加热升温进行反应，反应温度80-200℃，反应时间30-120min；

(4)、离心分离：将加热反应后得到的反应物，进行离心分离，分离出的固相物质即为改性修饰后产物；

(5)、清洁：分离出的改性修饰后产物再采用易挥发的有机溶剂进行洗涤，洗去表面残留的溶剂，所述的易挥发的有机溶剂为无水乙醇、四氯化碳或丙酮；

(6)、干燥：干燥后得到改性材料最终产物。

2.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述干燥的温度为60-120℃。

3.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述干燥的温度为80-100℃。

4.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述的改性材料与反应体系溶剂体积比为1：1.5。

5.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述的干燥为在真空状态中干燥，或者在惰性气氛中进行干燥。

6.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述的反应釜为聚四氟乙烯内衬反应釜，或者不锈钢内衬反应釜。

7.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述的加热反应中的反应温度为80-100℃。

8.如权利要求1所述的碳素类材料表面的类SEI膜预先沉积修饰改性的方法，其特征在于，所述的加热反应中的反应时间为30-60min。