[发明专利]一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装及贴片方法在审
申请号: | 201611194188.3 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN108231648A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 刘晓;郑军;赵霞焱 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 吕利敏 |
地址: | 261061 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机蜡 垫片 工装主体 真空孔 衬底减薄 贴片工装 均匀性 减薄 贴片 吸附 原材料消耗 碎裂 产品良率 分布设置 加热贴片 有效减少 真空吸力 蒸汽污染 不均匀 不一致 易清洗 衬底 融化 芯片 消耗 贯穿 替代 员工 保证 | ||
1.一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装,其特征在于,包括工装主体,在所述工装主体上设置有供安放垫片和LED芯片的凹槽,在所述垫片上分布设置有真空孔,在所述工装主体上贯穿有与所述凹槽相连通的真空孔通道与所述垫片上的真空孔相连通,用于吸附垫片。
2.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装,其特征在于,所述工装主体为圆柱体。
3.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装,其特征在于,所述工装主体的厚度为5-15mm,直径为160-650mm,材质为陶瓷。
4.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装,其特征在于,所述工装主体上分布凹槽数量为6-12个,凹槽深度为0.05-0.2mm,凹槽直径为50-160mm。
5.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装,其特征在于,所述垫片上分布设置的真空孔的数量为50-300个。
6.根据权利要求1所述的一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装,其特征在于,所述凹槽的真空孔通道直径为5-20mm。
7.如权利要求1-6任意一项所述的贴片工装进行贴片的方法,其特征在于,该方法包括步骤如下:
1)将待减薄GaAs基LED芯片至于所述凹槽内且与垫片充分接触,所述待减薄GaAs基LED芯片的研磨面朝上水平放置;
2)向所述工装主体设有凹槽的一面敷设一层单面膜;
3)利用所述真空孔通道对工装主体吸附在研磨机机械臂上,掲下所述单面膜对GaAs基LED芯片进行减薄作业;
4)将减薄后的GaAs基LED芯片取出。
8.根据权利要求7所述的贴片工装进行贴片的方法,其特征在于,在步骤1)中,先利用无水乙醇对所述工装主体进行擦拭。
9.根据权利要求7所述的贴片工装进行贴片的方法,其特征在于,在步骤2)中,将所述单面膜的边缘贴附在所述工装主体的边缘;所述步骤3)中,利用所述真空孔通道对工装主体吸附在研磨机机械臂上,其真空吸附所对应的真空读值大于80;所述减薄作业所采用的研磨参数为:研磨盘转速5-20r/min,研磨机的机械臂的吸盘转速5-100r/min,研磨压力为5-25kg。
10.根据权利要求7所述的贴片工装进行贴片的方法,其特征在于,在步骤4)中,在减薄作业完成后,对GaAs基LED芯片进行清洗擦拭,然后再用单面膜覆盖工装主体以取出减薄后的GaAs基LED芯片;在步骤4)后,将取出的GaAs基LED芯片放入有机溶剂中清洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造