[发明专利]一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜及其制备方法

权利要求书

1.一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述量子点固态膜包括N个在径向方向上依次排布的量子点薄膜单元，其中N≥3；所述N个量子点薄膜单元的能级势垒高度在径向方向上呈现连续升高或降低的趋势；所述量子点薄膜单元由量子点材料和具有同时提高量子点材料价带和导带作用的表面修饰剂组成；不同量子点薄膜单元中的表面修饰剂均不相同，且在径向方向上越向外，所述表面修饰剂对量子点材料价带和导带的提高幅度越高或越低。

2.根据权利要求1所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述表面修饰剂为溴化物、碘化物、硫氰酸铵、1,4苯二硫酚、1,3苯二硫酚、1,2苯二硫酚、氟化物、乙二硫醇、巯基乙酸、乙二胺和苯硫酚中一种或多种。

3.根据权利要求1所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述量子点薄膜单元的厚度为3～10nm。

4.根据权利要求1所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述量子点材料为二元相量子点、三元相量子点或四元相量子点中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述三元相量子点为Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X中的一种或多种，其中0<X<1。

7.根据权利要求4所述的能级势垒高度连续变化的量子点固态膜，其特征在于，所述四元相量子点为Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、PbSe_XS_1-X/ZnS中的一种或多种，其中0<X<1。

8.一种能级势垒高度连续变化的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、在衬底上旋涂层量子点材料，待干燥后，浸泡在含有表面修饰剂的溶液中，得到一层量子点薄膜单元；

B、在所述一层量子点薄膜单元表面继续旋涂一层量子点材料，待干燥后，浸泡在含有表面修饰剂的溶液中，得到二层量子点薄膜单元；

C、重复步骤B，得到N层量子点薄膜单元，其中N≥3，且所述N层量子点薄膜单元中不同量子点薄膜单元中的表面修饰剂均不相同，且在径向方向上越向外，所述表面修饰剂对量子点材料价带和导带的提高幅度越高或越低。