[发明专利]钕铁硼薄片的制备方法在审
| 申请号： | 201611192277.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106847455A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李慧;杨占峰;李静雅;刘小鱼;刘树峰;鲁飞;邢正茂;陈蓓新;张刚;白洋;王峰;孙良成;郑天仓 | 申请（专利权）人： | 包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司;包头云捷电炉厂 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 014030 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 薄片 制备 方法 | ||
1.一种钕铁硼薄片的制备方法，包括：
按设计成分配料、熔炼、速凝铸片；
采用物理气相沉积方法，将重稀土元素粒子或者高熔质元素粒子沉积在钕铁硼薄片上。
2.如权利要求1所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：在惰性气氛中物理气相沉积，温度为300～500℃，沉积速率为0.01～50μm/min。
3.如权利要求2所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：惰性气氛为氩气或氦气或真空，物理气相沉积采用磁控溅射沉积、离子镀沉积或蒸发源沉积。
4.如权利要求1所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：高熔质元素粒子采用Dy、Tb、W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素的粒子；重稀土元素粒子采用Dy或者Tb元素的粒子。
5.如权利要求1至4任一项所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：将钕铁硼合金薄片和重稀土靶材分别置于物理气相沉积装置内；抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa，充入氩气至0.2～1.0Pa；对钕铁硼薄片加热，开启物理气相沉积装置，采用物理气相沉积将重稀土粒子沉积在钕铁硼薄片上；停止物理气相沉积，待温度降至室温后取出钕铁硼薄片。
6.如权利要求5所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：对钕铁硼薄片加热的加热温度为300～500℃，重稀土粒子沉积速率为0.01～50μm/min。
7.如权利要求5所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：重稀土靶材为元素Dy或者Tb中至少一种元素的纯金属、合金或氧化物。
8.如权利要求1至4任一项所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：将钕铁硼合金薄片和高熔质靶材分别置于物理气相沉积装置内；抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa，充入氩气至0.2～1.0Pa；对钕铁硼薄片加热，开启物理气相沉积装置，采用物理气相沉积将高熔质粒子沉积在钕铁硼薄片上；停止物理气相沉积，待温度降至室温后取出钕铁硼薄片。
9.如权利要求8所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：对钕铁硼薄片加热的加热温度为300～500℃，高熔质粒子沉积速率为0.01～50μm/min。
10.如权利要求8所述钕铁硼薄片的制备方法，其特征在于：高熔质靶材为元素W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一种元素的纯金属、合金或氧化物。
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