[发明专利]一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性，薄膜与硅基底的键合界面清晰，而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜；该制备方法克服了当前技术中键合体是不同材质退火时产生的形变。

技术领域

本发明涉及半导体材料和光电材料技术领域，具体说是一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法。

背景技术

钽酸锂单晶薄膜和铌酸锂单晶薄膜拥有非常广阔的应用前景，可以广泛的应用在光信号处理、信息存储、电子器件等领域。使用钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜作为基础材料，不仅在制作高频、高带宽、高集成度、大容量、低功耗的光电子学器件和集成光路等方面具备独特的优势，极大的扩充光通讯系统的传输能力和集成度，而且还可被应用在制作滤波器，光波导调制器、光波导开关、空间光调制器和光学倍频器、表面声波发生器、红外探测器、铁电体存储器等方面，带来极大的经济效益和社会效益。以硅材料作为基底材料制备钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜，可移植已经成熟的硅材料生产工艺和经验，实现钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜更高的可加工性和更广的应用范围。

现有的制备硅基钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜具有明显优势的方法是直接键合制备技术，因为该技术不仅能够很好的保持体材料的特性，而且薄膜和硅基底的键合界面清晰。但是采用这种工艺制备的硅基钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜，需要对键合体进行退火处理以增强其键合力，当键合体为不同材质时由于材料间热膨胀系数的差别，在特定温度下进行退火时两者会不同程度的形变，从而在键合体中积累很强的应力；当应力超过材料的力学极限会造成碎片，且此应力的存在非常不利于后续的研磨和抛光工序，不仅影响硅基单晶薄膜的质量，降低其可应用性，而且直接影响硅基单晶薄膜的生产。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法。

本发明为实现上述目的，通过以下技术方案实现：

一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。

优选的，硅基底的厚度为300~1000μm，钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜的厚度为1~100μm。

进一步优选的，硅基底的薄膜厚度是钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜的厚度的十倍。

本发明还包括微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：

①提供原始基板，并对原始基板进行表面抛光和清洗，以获得能够进行直接键合工艺的光滑原始基板工艺面；所述的原始基板为单晶钽酸锂或单晶铌酸锂；

②提供目标基板，并对目标基板进行表面抛光和清洗，以获得能够进行直接键合工艺的光滑目标基板工艺面；所述的目标基板为硅基板；

③利用直接键合法，将步骤①所得光滑原始基板工艺面和步骤②所得光滑目标基板工艺面接触键合，得到键合体，其中原始基板为功能层，目标基板为基底层；

④利用晶片研磨工艺，将步骤③所得键合体中的功能层减薄至大于目标厚度1~5μm的厚度，然后将键合体退火处理得到退火后的键合体，退火温度为120~270℃，退火时间为4~5小时；

⑤将步骤④所得退火后的键合体采用化学机械抛光至目标厚度，得到微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜。

优选的制备方法，步骤①和步骤②中抛光均为化学机械抛光。