[发明专利]三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法

权利要求书

1.一种三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供电子束装置和包含失效地址的芯片，所述芯片上有第一参考点和第二参考点，所述第一参考点与所述失效地址在同一铅锤线上，所述第二参考点与所述失效地址在同一水平线上；

在所述芯片标上第一记号和第二记号，所述第一记号覆盖所述第一参考点，所述第二记号覆盖所述第二参考点；

研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处，包括：

在所述芯片标上第三记号、第四记号和第五记号，所述第三记号和所述第四记号在同一水平线，所述第四记号和所述第五记号在同一铅锤线；

将所述第一边侧面手动研磨至所述第三记号和所述第四记号处，将所述第二边侧面手动研磨至所述第四记号和所述第五记号处；

再使用聚焦离子束将所述第一边侧面研磨至所述第一记号处、使用聚焦离子束将所述第二边侧面研磨至所述第二记号处；

对所述芯片进行平面样品制备，根据所述电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。

2.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，所述第一边侧面是指：所述芯片上与水平线平行，且距所述第一参考点最近的边侧面；所述第二边侧面是指：所述芯片上与水平线垂直，且距所述第二参考点最近的边侧面。

3.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，在所述芯片标上第一记号和第二记号之前，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：先将所述芯片的正面研磨到位线接触层。

4.如权利要求3所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处后，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：在所述第二边侧面上镀上保护层。

5.如权利要求4所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，是通过聚焦离子束在所述第二边侧面上镀上保护层。

6.如权利要求5所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，所述保护层是铂金。

7.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，在对所述芯片进行平面视图样品制备之前，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：先将所述芯片的侧面朝上粘在支撑物上。

8.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，所述第一记号、所述第二记号、所述第三记号、所述第四记号和所述第五记号是通过聚焦离子束标记在所述芯片上。

9.一种基于权利要求1～8任一项所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法制备的样品观测方法，其特征在于，包括如下步骤：

从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。

10.如权利要求9所述的三维MOS存储芯片的样品观测方法，其特征在于，所述第一距离是所述第一参考点与所述失效地址的距离；所述第二距离是所述第二参考点与所述失效地址的距离。