[发明专利]氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法有效
申请号: | 201611191522.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106601591B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 唐利斌;姬荣斌;项金钟;张倩 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C01B32/184 |
代理公司: | 53114 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人: | 施建辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 650000 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 多层 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法,其特征在于该制备方法采用乙二醇和盐酸按一定摩尔比反应生成后的溶液经旋涂退火后一次性生成氯掺杂石墨烯薄膜,包括液相化学反应、旋涂和退火三个步骤,具体如下:
1)液相化学反应:取30ml乙二醇和9ml盐酸,置于100ml烧杯中,用机械搅拌器搅拌同时在加热板上加热,设置加热板温度为200℃,直至混合均匀的溶液变为金黄色且不再继续变色为止,保留均匀棕色清液装于棕色样品瓶中留待备用;
2)旋涂:将步骤1)中掺氯的石墨烯前驱体配成0.5g/ml的溶液用一次性滴管取适量滴在处理过的石英片上,将其在转速设置为1000~2000/min 的匀胶机上进行旋涂;
3)退火:将旋涂在石英片衬底上的薄膜置于80℃下烘烤20min,然后在650℃下退火3小时,即可得到氯掺杂多层石墨烯薄膜。
2.如权利要求1所述的氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法,其特征在于所述的石英片的处理方法,是将石英片放入以氨水:双氧水:去离子水体积比为1:1:2的40ml的混合溶液中,并在温度为80℃的加热板上加热30min,将加热后的石英片取出,用去离子水冲洗并吹干,使石英片表面光滑,不存在水迹。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造