[发明专利]半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，用于处理贴附于扩张膜的第一表面上的晶圆，其中所述晶圆被划片后得到多个芯片，所述扩张膜扩张以使得所述芯片相互分离并控制芯片的排列位置，其特征在于，其包括：

可调整的光源，其包括有发光阵列和光路引导部件，所述发光阵列包括多个功率可调整的发光单元，各个发光单元发出的光经过所述光路引导部件的传导被投射到所述扩张膜的第二表面；

控制单元，其形成光源控制参数，并将所述光源控制参数发送给所述光源，

其中所述光源基于所述光源控制参数来控制所述光源的各个发光单元的功率，从而控制所述扩张膜的扩张，进而控制所述芯片的排布。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于：各个发光单元的功率能够基于所述光源控制参数的控制而变得不同，从而导致所述扩张膜的第二表面的不同区域的光照强度能够不同，进而导致所述扩张膜的第二表面的不同区域的温度不同，最终控制所述扩张膜的不同区域的扩张。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于：每个发光单元发出的光会被投射到所述扩张膜的第二表面的相应区域，通过控制所述发光单元的功率能够控制所述扩张膜的第二表面的相应区域的扩张。

4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于：所述扩张膜的被投射有光的区域包含整个晶圆。

5.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于：所述发光单元包括LED灯单元和驱动单元，所述驱动单元给所述LED灯单元提供驱动电流或驱动电压，基于所述光源控制参数来控制所述驱动单元提供给所述LED灯单元的驱动电流或驱动电压，从而控制了所述发光单元的功率。

6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于：其还包括有：

摄像单元，其采集所述晶圆上的多个芯片的图像；

所述控制单元分析所述摄像单元采集的图像以确定所述芯片的排布参数，并根据所述芯片的排布参数形成所述光源控制参数，

其中所述光源基于所述光源控制参数来控制所述发光单元的功率，从而控制所述扩张膜的扩张，进而使得所述芯片的排布参数满足预定要求。

7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于：

所述芯片排布成多行和多列，

所述芯片的排布参数包括：

每行或列的各个芯片距基于该行或列的芯片拟合而成的直线的距离；

基于相邻行或列的芯片拟合而成的相邻直线之间的距离；或

每个芯片与其相邻的芯片之间的相对位置；其中：

在每行或列的各个芯片距基于该行或列的芯片拟合而成的直线的距离小于第一预定阈值时，认为所述芯片的排布参数符合所述预定要求中的一个要求；

在基于相邻行或列的芯片拟合而成的相邻直线之间的距离小于第二预定阈值或大于第三阈值时，认为所述芯片的排布参数符合所述预定要求中的一个要求；或

在每个芯片与其相邻的芯片之间的相对位置满足预定标准时，认为所述芯片的排布参数符合所述预定要求中的一个要求。

8.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于：在所述控制单元中存储有所述芯片的排布参数的标准值，

所述控制单元将所述标准值与通过分析所述摄像单元采集的图像而确定的所述芯片的排布参数的实际值进行比较，从而确定所述芯片的排布参数是否满足预定要求。

9.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于：其还包括：

环境温度控制器，其能够控制所述晶圆周围的气体的温度；

所述控制单元还根据所述芯片的排布参数形成环境温度控制参数，

其中所述环境温度控制器根据所述环境温度控制参数控制所述晶圆周围的气体的温度。

10.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于：其还包括：

取芯装置，其包括有多个相互间隔的抓取头，在所述芯片的排布参数满足预定要求后，所述多个抓取头能够同时抓取多个对应的芯片。