[发明专利]包含在裸芯边缘处的裸芯接合垫的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体晶片，包括：

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相反；

多个半导体裸芯，所述多个半导体裸芯包括形成在所述晶片的第一主表面中的集成电路；

切口区域，所述切口区域包括切口线的第一集和第二集，所述切口线的第一集和第二集提供指定区域，在所述指定区域内，沿着多条切片线将所述多个半导体裸芯中的半导体裸芯彼此分离；以及

多个裸芯接合垫，形成在所述第一主表面中并电耦接到所述集成电路，所述裸芯接合垫包括至少一部分，所述一部分延伸到切口线的第一集中并且跨过所述多条切片线中的一条切片线，

其中所述多个裸芯接合垫完全形成在钝化层下方的电介质薄膜层内。

2.如权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个裸芯接合垫完全地形成在所述切口线的第一集内。

3.如权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个裸芯接合垫隐蔽在所述晶片的第一主表面之下。

4.一种由半导体晶片形成的半导体裸芯，所述半导体裸芯包括：

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相反；

集成电路，所述集成电路相邻于所述第一主表面形成在有源区域内；以及

形成在所述第一主表面中的多个裸芯接合垫，所述多个裸芯接合垫至少部分地在所述有源区域之外，所述多个裸芯接合垫当所述半导体裸芯被从所述半导体晶片切片时被沿着边缘切断，

其中所述多个裸芯接合垫完全形成在钝化层下方的电介质薄膜层内。

5.如权利要求4所述的半导体裸芯，其中所述多个裸芯接合垫完全地形成在所述有源区域之外。

6.如权利要求4所述的半导体裸芯，其中所述多个裸芯接合垫在所述半导体裸芯的边缘处可见，并且隐蔽在所述半导体裸芯的第一主表面之下。

7.如权利要求4所述的半导体裸芯，其中所述集成电路是用于闪存存储器的集成电路。

8.一种半导体封装体，包括：

基板；

安装到所述基板的多个堆叠的存储器裸芯，所述堆叠的存储器裸芯的半导体裸芯包括：

集成电路，所述集成电路形成为相邻于第一主表面且在有源区域内，

形成在所述第一主表面中的多个裸芯接合垫，所述多个裸芯接合垫至少部分地在所述有源区域之外，并且在所述有源区域之外的所述半导体裸芯的边缘处具有切断的边缘；以及

控制器裸芯，所述控制器裸芯电连接到所述堆叠的存储器裸芯，用于控制将数据传输到所述堆叠的存储器裸芯，以及从所述堆叠的存储器裸芯传输数据，

其中所述多个裸芯接合垫完全形成在钝化层下方的电介质薄膜层内。

9.如权利要求8所述的半导体封装体，其中所述多个堆叠的存储器裸芯以偏移配置堆叠。

10.如权利要求9所述的半导体封装体，其中，与包含从所述边缘间隔设置的裸芯接合垫的半导体裸芯的堆叠体相比，在所述半导体裸芯的边缘处的所述裸芯接合垫允许所述半导体裸芯的偏移量的减少。

11.一种由半导体晶片形成的半导体裸芯，所述半导体裸芯包括：

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相反；

集成电路，所述集成电路形成为相邻于所述第一主表面且在有源区域内；以及

垫装置，形成在所述第一主表面中，所述垫装置用于将信号传输到所述集成电路，以及从所述集成电路传输信号，所述垫装置在所述半导体裸芯的边缘处具有切断边缘，

其中所述垫装置完全形成在钝化层下方的电介质薄膜层内。

12.如权利要求11所述的半导体裸芯，其中，与包含从所述边缘间隔设置的裸芯接合垫的半导体裸芯的堆叠体相比，所述垫装置允许所述半导体裸芯的偏移量的减少。