[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶生产技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。

背景技术

随着液晶显示器的不断推广和普及，对液晶显示器的显示性能提出了很高的要求。目前，在液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板制程中，需要使用多道光罩来进行光刻制程，然而，光罩成本较高，光罩次数越多则薄膜晶体管制程所需的成本越高，且增加制程时间及复杂度。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够简化制造工艺，降低成本。

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：

在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层；

在所述第二金属层上形成光阻材料层，并图案化所述光阻材料层形成光阻层；所述光阻层包括与所述半导体层相对的通孔、位于所述通孔两侧的源极区、漏极区及与所述漏极区相邻的像素电极区；

蚀刻所述第二及第一金属层，以将所述光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案；

去除所述像素电极区的光阻层；

去除所述像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层；

去除剩余的光阻层。

其中，所述制作方法在所述去除剩余的光阻层之后还包括：

在去除光阻层阵列基板上形成绝缘层，并进行图案化处理。

其中，所述制作方法在所述在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层之前还包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极及公共电极；

在形成有栅极及公共电极的基板上形成有绝缘层；

在所述绝缘层上形成有半导体层。

其中，所述第一及第二金属层的形成是通过物理气相沉积的方式将第一金属及第二金属分别溅射至形成有半导体层的基板上。

其中，所述第一金属为钼钛，所述第二金属为铜。

其中，所述第一金属层的厚度为150-500埃，所述第二金属层的厚度为2000-5000埃。

其中，所述图案化所述光阻材料层形成光阻层包括：

通过半色调掩膜光罩工艺对所述光阻材料层进行图案化形成所述光阻层，其中位于所述像素电极区域的光阻层的厚度小于所述源漏极上的光阻层的厚度。

其中，在步骤蚀刻所述第二及第一金属层，以将所述光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案中，采用含氟的双氧水对所述第二及第一金属层进行蚀刻。

其中，在步骤去除所述像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层中，采用不含氟的双氧水去除所述像素电极区的第二金属层。

其中，所述像素电极层中的图案线条宽度小于2um。

本发明的薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层；在所述第二金属层上形成光阻材料层，并图案化所述光阻材料层形成光阻层；所述光阻层包括与所述半导体层相对的通孔、位于所述通孔两侧的源极区、漏极区及与所述漏极区相邻的像素电极区；蚀刻所述第二及第一金属层，以将所述光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案；去除所述像素电极区的光阻层；去除所述像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层；去除剩余的光阻层。因此，本发明需要进行一次光罩工艺来同时形成源极区、漏极区及像素电极区，即可以同时形成源极、漏极及像素电极，相对于现有技术节省了光罩次数，简化了薄膜晶体管阵列基板的工艺步骤，降低薄膜晶体管阵列基板的制作成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程图。

图2至图8为本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的各个制造流程中薄膜晶体管阵列基板的剖面图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。