[发明专利]可重构多层全息天线异质Ge基pin二极管的制备工艺

权利要求书

1.一种可重构多层全息天线异质Ge基pin二极管的制备工艺，其特征在于，所述可重构多层全息天线包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；

其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的异质Ge基pin二极管串；

其中，所述异质Ge基pin二极管的制备工艺包括步骤：

选取某一晶向的GeOI衬底；

在所述GeOI衬底内刻蚀得到隔离槽形成隔离区；

刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；

填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，采用离子注入在所述P型沟槽内和所述N型沟槽内形成P型有源区、N型有源区、P型接触区和N型接触区；

在所述P接触区和所述N接触区光刻引线孔形成引线，完成所述异质Ge基pin二极管的制备。

2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述GeOI衬底内刻蚀得到隔离槽形成隔离区，包括：

在所述GeOI衬底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅层；

在所述第一二氧化硅层表面生成氮化硅以形成第一氮化硅层；

利用光刻工艺在所述第一氮化硅层上形成第一隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以形成隔离槽，且所述隔离槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；

填充所述隔离槽以形成所述异质Ge基等离子pin二极管的所述隔离区。

3.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，包括：

在所述GeOI衬底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅层；

在所述第二二氧化硅层表面生成氮化硅以形成第二氮化硅层；

利用光刻工艺在所述第二氮化硅层上形成第二隔离区图形；

利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述GeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽。

4.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，采用离子注入在所述P型沟槽内和所述N型沟槽内形成P型有源区、N型有源区、P型接触区和N型接触区，包括：

利用多晶硅填充所述P型沟槽和所述N型沟槽；

平整化处理所述GeOI衬底后，在所述GeOI衬底上形成多晶硅层；

光刻所述多晶硅层，并采用带胶离子注入的方法对所述P型沟槽和所述N型沟槽所在位置分别注入P型杂质和N型杂质以形成P型有源区和N型有源区且同时形成P型接触区和N型接触区；

去除光刻胶；

利用湿法刻蚀去除所述P型接触区和所述N型接触区以外的所述多晶硅层。

5.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述P接触区和所述N接触区光刻引线孔形成引线，包括：

在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；

利用退火工艺激活有源区中的杂质；

在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；

钝化处理并光刻PAD以形成所述异质Ge基等离子pin二极管。