[发明专利]光电装置以及电子设备在审
申请号: | 201611182095.9 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN107046050A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 太田人嗣 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及光电装置以及电子设备。
背景技术
作为光电装置,公知有在显示区域排列的多个像素的每一个具备发光元件的发光装置。在这样的发光装置中,为了使发光元件发光,连接有用于使电流向构成发光元件的电极流动的配线。例如在专利文献1中,提出有为了使发光元件的第二电极(阴极)与供电流流动用的配线充分导通,而使第二电极与在显示区域的周围形成的周边配线连接的发光装置。
另外,在专利文献1的发光装置中成为下述结构:通过根据光路长度调整层的膜厚而适当地调整构成光谐振构造的第一电源导电体与第二电极之间的光路长度,来对每个显示颜色设定各像素的射出光的谐振波长。
专利文献1:日本特开2015-76300号公报
然而,在专利文献1所记载的发光装置中,在覆盖周边配线的光路长度调整层较薄的情况下,有在周边配线与像素部的电极(阳极)等之间发生短路的情况。详细而言,在上述发光装置的制造工序中,有在成膜时等因微小的异物、垃圾混入光路长度调整层,由此在配线之间发生短路的情况。由于短路的发生会损害发光装置的发光功能,因此存在对发光装置的发光品质带来影响,并且成品率容易降低的课题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分所做出的,能够作为以下的方式或者应用例实现。
应用例
在本应用例的光电装置中,具备元件基板,该元件基板具有:排列有多个像素的显示部、和包括设置于所述显示部的周边的周边电路的周边电路部,所述显示部在每个所述像素具有:发光元件和驱动所述发光元件的晶体管,所述发光元件经由光反射层和绝缘层而配置在所述晶体管上,所述绝缘层在所述像素的每个显示颜色具有不同的膜厚,所述周边电路部的绝缘层具有与所述显示部中膜厚最大的所述绝缘层相同的层结构。
根据本应用例,由于周边电路部的绝缘层的膜厚增大(厚),因此能够抑制显示部周边的周边电路与显示部的像素电极等之间发生短路。详细而言,在发光元件形成的绝缘层作为由发光元件的发光产生的射出光的光路长度调整层发挥作用。例如为了根据红色、绿色、蓝色之类的像素的显示颜色来设定光谐振构造的谐振波长(显示颜色),而改变上述绝缘层的膜厚来调整光路长度。因此能够容易地将周边电路部的绝缘层设为与上述绝缘层的膜厚最大的像素相同的层结构。因此通过设为这样的结构,由此在制造工序中,即使在成膜时等微小的异物等混入到绝缘层,也能够抑制周边电路部的配线之间发生短路。因此能够提供发光元件的发光功能稳定,并且提高发光品质以及制造工序中的成品率的光电装置。
在上述应用例所记载的光电装置中,优选为,所述光反射层分割配置于每个所述像素,所述绝缘层在配置有所述光反射层的面上进行覆盖,并且具备:具有凹部的绝缘膜、和埋入至所述凹部的埋入绝缘膜,所述凹部形成在相邻的所述光反射层的间隙的内侧。
据此,在显示部中,覆盖相邻的光反射层的绝缘层变得平坦。因此能够使覆盖光反射层的绝缘层平滑,抑制散射光的产生,从而提高像素的发光效率。另外,通过平坦的绝缘层,能够对每个像素正确地进行光路长度的调整。因此能够使发光的色彩再现性提高。
在上述应用例所记载的光电装置中,优选为,所述周边电路包括与所述发光元件的阴极连接的遮光性的迂回配线,所述迂回配线形成在具有所述凹部的绝缘膜上。
据此,遮光性的迂回配线配置为从光反射层离开覆盖光反射层的绝缘膜的膜厚的量。因此迂回配线能够遮挡并减少由发光元件的发光产生的来自光反射层的散射光。由此提高发光元件的对比度。
在上述应用例所记载的光电装置中,优选为,所述绝缘层包括材料结构不同的多层。
据此,能够在显示部的绝缘层使用并组装折射率、绝缘性较高的形成材料。由此不使膜厚变厚地进行光路长度调整、赋予绝缘性变得容易。
本应用例所记载的电子设备的特征为具备上述应用例所记载的光电装置。
根据本应用例,能够提供提高了发光元件的发光品质的电子设备。
附图说明
图1是表示实施方式1的有机EL装置的结构的俯视图。
图2是有机EL装置中的像素的等效电路图。
图3是沿着图1中所示的线段A-A’的有机EL装置的剖视图。
图4是表示光反射层以及第二配线的配置的俯视图。
图5是将图3的一部分放大的剖视图。
图6是表示实施方式2的头戴式显示器的光学结构的示意图。
具体实施方式
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的