[发明专利]翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置有效

专利信息
申请号: 201611180576.6 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN108206144B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 陈明辉 申请(专利权)人: 苏州能讯高能半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 张海英;林波
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 翘曲晶圆 吸附 方法 使用 装置
【权利要求书】:

1.一种翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,所述吸附方法是使用正常晶圆在吸盘(1)上形成吸附正常的状态,再使用翘曲晶圆(2)替换所述正常晶圆,水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)在所述吸盘(1)上的位置直至所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘(1)上;

所述吸附方法包括下述步骤:

步骤1、将一片所述正常晶圆送至所述吸盘(1)上,开启真空系统(3),所述真空系统(3)判定所述吸盘(1)的吸附状态正常;

步骤2、在得到所述真空系统(3)发出的吸附状态正常信号后关闭所述真空系统(3),取下所述正常晶圆;

步骤3、将所述翘曲晶圆(2)放置在所述吸盘(1)上;

步骤4、开启真空系统(3),水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)在所述吸盘(1)上的位置直至所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘(1)上。

2.根据权利要求1所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,在步骤1之前还包括下述步骤:

步骤A、对全部晶圆进行正常操作,将其中放置在所述吸盘(1)上被真空系统(3)判定为吸附异常的晶圆归类为翘曲晶圆(2);

步骤B、将全部所述翘曲晶圆(2)单独放置,等待第二次操作。

3.根据权利要求1或2所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,使用手动或机械方式实现所述翘曲晶圆(2)的水平调整和/或旋转调整。

4.根据权利要求1或2所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,在水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)达到一定程度或一定时间后仍然不能实现所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘上时,将所述翘曲晶圆(2)恢复至最初位置,然后按压所述翘曲晶圆(2)的边缘使其被吸附在所述吸盘(1)上。

5.根据权利要求4所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,按压所述翘曲晶圆(2)包括下述步骤:

步骤61、按压所述翘曲晶圆(2)的任一侧边缘,令其吸附在所述吸盘(1)上;

步骤62、按压所述翘曲晶圆(2)上关于圆心对称的另一侧边缘,令其吸附在所述吸盘(1)上;

步骤63、检查所述翘曲晶圆(2)是否全部被吸附在所述吸盘(1)上,是则转至步骤65;否则转至步骤64;

步骤64、依次按压所述翘曲晶圆(2)上仍然翘曲的部分,直至所述翘曲晶圆(2)全部被吸附在所述吸盘(1)上;

步骤65、结束。

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