[发明专利]翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置有效
申请号: | 201611180576.6 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN108206144B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 陈明辉 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 张海英;林波 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 翘曲晶圆 吸附 方法 使用 装置 | ||
1.一种翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,所述吸附方法是使用正常晶圆在吸盘(1)上形成吸附正常的状态,再使用翘曲晶圆(2)替换所述正常晶圆,水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)在所述吸盘(1)上的位置直至所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘(1)上;
所述吸附方法包括下述步骤:
步骤1、将一片所述正常晶圆送至所述吸盘(1)上,开启真空系统(3),所述真空系统(3)判定所述吸盘(1)的吸附状态正常;
步骤2、在得到所述真空系统(3)发出的吸附状态正常信号后关闭所述真空系统(3),取下所述正常晶圆;
步骤3、将所述翘曲晶圆(2)放置在所述吸盘(1)上;
步骤4、开启真空系统(3),水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)在所述吸盘(1)上的位置直至所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘(1)上。
2.根据权利要求1所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,在步骤1之前还包括下述步骤:
步骤A、对全部晶圆进行正常操作,将其中放置在所述吸盘(1)上被真空系统(3)判定为吸附异常的晶圆归类为翘曲晶圆(2);
步骤B、将全部所述翘曲晶圆(2)单独放置,等待第二次操作。
3.根据权利要求1或2所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,使用手动或机械方式实现所述翘曲晶圆(2)的水平调整和/或旋转调整。
4.根据权利要求1或2所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,在水平调整和/或旋转调整所述翘曲晶圆(2)达到一定程度或一定时间后仍然不能实现所述翘曲晶圆(2)被吸附在所述吸盘上时,将所述翘曲晶圆(2)恢复至最初位置,然后按压所述翘曲晶圆(2)的边缘使其被吸附在所述吸盘(1)上。
5.根据权利要求4所述的翘曲晶圆的吸附方法,其特征在于,按压所述翘曲晶圆(2)包括下述步骤:
步骤61、按压所述翘曲晶圆(2)的任一侧边缘,令其吸附在所述吸盘(1)上;
步骤62、按压所述翘曲晶圆(2)上关于圆心对称的另一侧边缘,令其吸附在所述吸盘(1)上;
步骤63、检查所述翘曲晶圆(2)是否全部被吸附在所述吸盘(1)上,是则转至步骤65;否则转至步骤64;
步骤64、依次按压所述翘曲晶圆(2)上仍然翘曲的部分,直至所述翘曲晶圆(2)全部被吸附在所述吸盘(1)上;
步骤65、结束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造