[发明专利]一种上电复位电路在审
| 申请号: | 201611180312.0 | 申请日: | 2016-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN108206040A | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
| 发明(设计)人: | 邓龙利;刘铭 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/20 | 分类号: | G11C16/20;G11C16/30 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复位信号 比较单元 产生单元 输入端 上电复位电路 电阻分压 基准电压 分压电阻串 触发电压 翻转信号 外加电源 输出端 输出 电源电压 电子芯片 上电复位 输出复位 监测 分压 电路 电源 | ||
本发明公开了一种上电复位电路,所述电路包括:分压电阻串单元,比较单元和复位信号产生单元;分压电阻串单元的输入端与电源相连,触发电压输出端与比较单元的第二输入端相连,用于对电源电压进行监测分压,并将触发电压输出端的电阻分压输出给比较单元的第二输入端;比较单元的第一输入端与基准电压相连,输出端与复位信号产生单元相连,用于将电阻分压与基准电压进行比较,当电阻分压大于等于基准电压时,输出翻转信号给所述复位信号产生单元;复位信号产生单元用于根据翻转信号输出复位信号;通过上述上电复位电路,实现了有效监测外加电源的大小,根据外加电源的大小产生复位信号,以使电子芯片实现上电复位操作。
技术领域
本发明实施例涉及电路技术领域,具体涉及一种上电复位电路。
背景技术
非易失闪存介质(nor flash/nand flash)是一种很常见的存储芯片,兼有随机存储器(Random Access Memory,RAM)和只读存储器(Read-Only Memory,ROM)的优点,数据掉电不会丢失,是一种可在系统进行电擦写的存储器,同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。
flash芯片等其它任何电子芯片,为了保证芯片工作的稳定性以及准确性,在芯片开始工作之前,一般都需要对芯片进行复位,使芯片有一个确定的初始工作状态,精确的复位电路对芯片的各项工作性能影响重大。
发明内容
本发明提供一种上电复位电路,实现了有效监测外加电源的大小,根据外加电源的大小产生复位信号,以使电子芯片实现上电复位操作。
本发明实施例提供了一种上电复位电路,该电路包括:分压电阻串单元,比较单元和复位信号产生单元;
其中,所述分压电阻串单元的输入端与电源相连,触发电压输出端与所述比较单元的第二输入端相连,用于对所述电源电压进行监测分压,并将触发电压输出端的电阻分压输出给所述比较单元的第二输入端;
所述比较单元的第一输入端与基准电压相连,输出端与所述复位信号产生单元相连,用于将所述电阻分压与所述基准电压进行比较,当所述电阻分压大于等于所述基准电压时,输出翻转信号给所述复位信号产生单元;
所述复位信号产生单元用于根据所述翻转信号输出复位信号。
进一步地,所述分压电阻串单元包括第一分压电阻串和第二分压电阻串;
其中,所述第一分压电阻串的首端通过第二PMOS管与电源相连,尾端通过第二NMOS管接地,通过控制所述第二PMOS管的栅极电压以及所述第二NMOS管的栅极电压控制所述第一分压电阻串的通断;
所述第二分压电阻串的首端通过第三PMOS管与电源相连,尾端通过第三NMOS管接地,通过控制所述第三PMOS管的栅极电压以及所述第三NMOS管的栅极电压控制所述第二分压电阻串的通断;
所述第一分压电阻串与所述第二分压电阻串之间连接有开关,可通过控制所述开关的通断将所述第一分压电阻串与所述第二分压电阻串进行并联连接。
进一步地,所述电路还包括:运算放大器、第一PMOS管和第一NMOS管,其中,所述运算放大器的第一输入端与基准电压相连,第二输入端用于输入反馈电压,与所述分压电阻串单元相连,输出端与所述第一PMOS管的栅极以及所述第一NMOS管的漏极相连,所述运算放大器用于根据所述反馈电压与所述基准电压的大小关系输出一定数值的电压,以控制所述第一PMOS管和第一NMOS管的工作;所述第一PMOS管的源极与电源相连,漏极与所述分压电阻串单元相连,且通过漏极输出稳定的工作电压给电子芯片;所述第一NMOS管的栅极与所述复位信号相连,源极接地。
进一步地,所述比较单元包括比较器。
进一步地,所述复位信号产生单元包括:滤波电路。
进一步地,所述滤波电路还用于滤除所述比较器误翻转的信号。
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