[发明专利]存储器装置与其相关的控制方法

说明书

本发明为一种进行一擦除操作的存储器装置与其相关的控制方法。存储器装置包含：译码电路、Q个开关电路与Q个存储器区块。译码电路产生Q个选取信号，其中Q个选取信号中的第k个选取信号为第一选取电压，且其余的(Q‑1)个选取信号为第二选取电压。Q个开关电路接收擦除电压，并根据Q个选取信号而分别产生Q个共源极信号。其中，Q个开关电路中的第k个开关电路产生具有擦除电压的第k个共源极信号。Q个存储器区块分别接收Q个共源极信号，并根据第k个共源极信号而擦除Q个存储器区块中的第k个存储器区块。

技术领域

本发明是涉及一种存储器装置与其相关的控制方法，且特别涉及一种进行擦除操作的存储器装置与其相关的控制方法。

背景技术

闪存(flash memory)是一种相当普遍的非易失性存储器(non-volatilememory)。闪存可分为或非门(NOR)型与与非门(NAND)型。由于NAND型闪存具有较快的擦写速度，且每个储存单元的面积也较小，NAND型闪存的用途也较广。

NAND型闪存芯片由多个存储器区块(block)构成，每个存储器区块进一步包含多个彼此串接的晶体管(存储单元)。随着读取(read)、写入(write)、擦除(erasure)等不同用途，存储器控制器(memory controller)也会通过列控制器(row decoder)，对存储单元的栅极(gate)、源极(source)与漏极(drain)施加不同的电压。

擦除闪存时，需以存储器区块为基本单位。NAND型闪存经常使用广域共源极信号线(global common source line，简称为GCSL)的架构。因此，若要对一选定的存储器区块(擦除存储器区块)进行擦除时，不仅会将擦除存储器区块的共源极信号线(common sourceline，简称为CSL)连接至高电平，还会将与其余存储器区块(未擦除存储器区块)对应的共源极信号线CSL都共同连接至高电平。以下将广域共源极信号线上的信号定义为广域共源极信号，并以GCSL同时表示广域共源极信号(线)；以及，将共源极信号线上的信号定义为共源极信号，并以CSL表示共源极信号(线)。

请参见图1，其为NAND型闪存使用广域共源极信号线架构的示意图。此处假设NAND闪存的存储器阵列11包含Q个存储器区块BLK_(q)，q＝1～Q。其中，每一个存储器区块BLK_(q)各自包含M个晶体管串列MS_(q，1)～MS_(q，M)。为便于说明，本文以晶体管串列所在的存储器区块，以及在存储器区块内的位置代表各个存储器区块。例如，晶体管串列MS_(1，1)代表位于第一个存储器区块BLK₍₁₎的第一组晶体管串列；晶体管串列MS_(1，M)代表位于第1个存储器区块BLK₍₁₎的第M组晶体管串列；晶体管串列MS_(Q，M)代表位于第Q各存储器区块BLK_(Q)的第M组晶体管串列；晶体管串列MS_(Q，M)代表位于第Q各存储器区块BLK_(Q)的第M组晶体管串列，其余类推。

NAND型闪存内的每一个存储器区块(BLK₍₁₎～BLK_(Q))均通过与其对应共源极信号线CSL₍₁₎～CSL_(Q)电连接至广域共源极信号线GCSL。图1以底纹代表被选取进行擦除的擦除存储器区块BLK_(k)。此处假设存储器控制器选择对存储器区块BLK₍₁₎进行擦除，并将其定义为擦除存储器区块BLK_(k)，k＝1。