[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611180049.5 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106783950A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李东键;金荣善;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层、氮化镓铝层以及电极层；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述非掺杂氮化镓层和所述碳掺杂氮化镓层的总层数≥10层，所述非掺杂氮化镓层的厚度为1nm-500nm，所述碳掺杂氮化镓层的厚度为1nm-500nm。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述碳掺杂氮化镓层中碳的掺杂量为1×1016/cm3-1×1020/cm3。
4.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述高阻抗层的厚度为100nm-5μm。
5.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述非有意掺杂氮化镓层包含多层的应变控制层和多层的掩蔽层，所述应变控制层的层数≥0；所述掩蔽层的层数≥0。
6.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为氮化镓、氮化铝或氮化镓铝。
7.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述通道层为非有意掺杂氮化镓层。
8.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述基板的材质为蓝宝石、氮化镓或硅。
9.权利要求1-8任一项所述的氮化镓半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成高阻抗层，所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层；
在所述高阻抗层上形成非有意掺杂氮化镓层；
在所述非有意掺杂氮化镓层上形成通道层；
在所述通道层上形成氮化镓铝层；在所述氮化镓铝层上形成电极层。
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