[发明专利]薄膜热电偶及含有其的温度传感器件有效
| 申请号： | 201611179924.8 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106595894B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 王慷慨;熊玉明 | 申请（专利权）人： | 美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/04 | 分类号： | G01K7/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 热电偶 含有 温度传感器 | ||
1.一种薄膜热电偶，其特征在于，包括：
基板，
第一电极，所述第一电极设置在所述基板上，且由二氧化锡形成；
第二电极，所述第二电极设置在所述基板上，与所述第一电极具有至少一个接触点，且由掺杂二氧化锡形成；所述第二电极中的掺杂元素包括锑、氟、铌、钽中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述基板为绝缘基板或具有绝缘层的非绝缘基板。
3.根据权利要求1所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述基板选自石英玻璃基板、微晶玻璃基板、陶瓷基板和具有陶瓷绝缘层的钛合金基板。
4.根据权利要求1所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述第一电极进一步含有掺杂元素，所述第一电极中的掺杂元素与所述第二电极中的掺杂元素不同。
5.根据权利要求4所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述第一电极中的掺杂元素包括锑、氟、铌、钽中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极中的掺杂元素的浓度各自独立的为1-20at.％。
7.根据权利要求1所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的厚度各地独立的为0.3-3微米。
8.根据权利要求1所述的薄膜热电偶，其特征在于，进一步包括：
绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述第一电极和第二电极。
9.根据权利要求8所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述绝缘保护层为氧化物陶瓷或氮化物陶瓷薄膜。
10.根据权利要求9所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述绝缘保护层选自氧化铝薄膜、二氧化硅薄膜、氮化铝薄膜和氮化硅薄膜。
11.根据权利要求8所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述绝缘保护层的厚度为0.1-2微米。
12.根据权利要求8所述的薄膜热电偶，其特征在于，所述第一电极、第二电极和绝缘保护层各自独立的是通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成的。
13.一种温度传感器件，其特征在于，包括权利要求1-12中任一项所述的薄膜热电偶。
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