[发明专利]用于HDP-CVD的具有挡板和喷嘴的冷却气体进料块有效
申请号: | 201611178021.8 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN107034448B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 戈文达·瑞泽;哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂;林·张;斯坦利·吴 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 hdp cvd 具有 挡板 喷嘴 冷却 气体 进料 | ||
1.一种冷却气体进料块,所述冷却气体进料块包括:
主体,所述主体包括:
主中心部分,所述主中心部分具有最顶表面、顶部表面和底表面;以及
凸缘,所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸;
气体通道,所述气体通道穿过所述主体设置,所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶部表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口;以及
中心冷却剂通道,所述中心冷却剂通道包括:
第一部分,所述第一部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的入口;以及
第二部分,所述第二部分耦接至所述第一部分,所述第二部分具有在所述主中心部分的所述最顶表面中形成的出口。
2.如权利要求1所述的冷却气体进料块,进一步包括:
外部冷却剂通道,所述外部冷却剂通道设置成相对于所述主中心部分的中心线在所述中心冷却剂通道外侧。
3. 如权利要求2所述的冷却气体进料块,其中所述外部冷却剂通道进一步包括:
第一弧形歧管;以及
第二弧形歧管,所述第二弧形歧管通过内部导管流体连接至所述第一弧形歧管。
4.如权利要求2所述的冷却气体进料块,其中所述气体通道在所述外部冷却剂通道与所述中心冷却剂通道之间。
5.如权利要求1所述的冷却气体进料块,其中所述中心冷却剂通道的所述第二部分形成在所述主中心部分的中心线上。
6.如权利要求5所述的冷却气体进料块,其中所述第二部分未穿过所述底表面。
7.如权利要求1所述的冷却气体进料块,其中所述第一部分平行于所述底表面。
8.如权利要求1所述的冷却气体进料块,其中所述主中心部分具有在所述底表面中形成的凹陷。
9.如权利要求8所述的冷却气体进料块,其中所述第一部分邻近所述凹陷。
10.一种处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体;
盖,所述盖设置在所述腔室主体上;
至少一个气体冷却进料块,所述气体冷却进料块耦接至所述腔室主体和盖的至少一者的外部,所述气体冷却进料块包括:
主体,所述主体包括:
主中心部分,所述主中心部分具有最顶表面、顶部表面和底表面;以及
凸缘,所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸;
气体通道,所述气体通道穿过所述主体设置,所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶部表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口;以及
中心冷却剂通道,所述中心冷却剂通道包括:
第一部分,所述第一部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的入口;以及
第二部分,所述第二部分耦接至所述第一部分,所述第二部分具有在所述主中心部分的所述最顶表面中形成的出口。
11.如权利要求10所述的处理腔室,进一步包括:
喷嘴,所述喷嘴设置在所述腔室主体的内部上,其中至所述腔室主体的所述内部中的气体通道延伸穿过所述气体冷却进料块和所述喷嘴。
12.如权利要求11所述的处理腔室,其中所述喷嘴具有暴露于所述腔室主体的所述内部的纹理。
13.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述纹理具有1.18微米的平均粗糙度。
14.如权利要求10所述的处理腔室,进一步包括:
挡板,所述挡板设置在所述腔室主体的内部上,其中至所述腔室主体的所述内部中的气体通道延伸穿过气体冷却进料块和所述挡板。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的