[发明专利]用于金属栅极的制造工艺有效
| 申请号： | 201611170270.2 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783741B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 制造 工艺 | ||
1.一种用于制造半导体器件的金属栅极的方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上提供第一金属栅极型晶体管区域和第二金属栅极型晶体管区域，其中所述第一金属栅极型晶体管区域和所述第二金属栅极型晶体管区域的每一者包括虚栅极；
在所述第一金属栅极型晶体管区域和所述第二金属栅极型晶体管区域周围提供零阶层间介电ILD0层；
在所述ILD0层之上形成硬掩模层；
执行图案化处理以移除部分硬掩模层以露出所述第一金属栅极型晶体管区域和所述第二金属栅极型晶体管区域处的虚栅极；
在所述第二金属栅极型晶体管区域处的虚栅极之上形成氮化硅SiN层；
执行图案化工艺以移除所述第一金属栅极型晶体管区域中的虚栅极并在所述第一金属栅极型晶体管区域中形成第一金属栅极，所述第一金属栅极为第一金属栅极型；
执行第一化学机械抛光(CMP)工艺以抛光所述第一金属栅极型晶体管区域中的所述第一金属栅极以使得所述CMP工艺在所述SiN层处停止；以及
移除所述SiN层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属栅极型为PMOS，以及所述第二金属栅极型为NMOS。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属栅极型为NMOS，以及所述第二金属栅极型为PMOS。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在移除所述SiN层之后在所述ILD0层之上形成硬掩模层；
执行图案化工艺以移除所述第二金属栅极型晶体管区域中的虚栅极并在所述第二金属栅极型晶体管区域中形成第二金属栅极，所述第二金属栅极为第二金属栅极型；
执行化学机械抛光(CMP)工艺以抛光所述第二金属栅极型晶体管区域中的所述第二金属栅极，其中所述CMP工艺包括移除所述硬掩模层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氮化钛TiN。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiN层的厚度至少为100埃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiN层是使用干法蚀刻工艺来移除的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
