[发明专利]一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其特征在于，操作步骤包括：

步骤1：溅射靶材安装；

步骤2：清洗玻璃基片并安装；

步骤3：抽真空度至8×10^-4Pa以下；

步骤4：采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；

步骤5：生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜；

步骤1所述的溅射靶材包括ITO陶瓷靶材或经还原处理的ITO纳米粉体；

所述的经还原处理的ITO纳米粉体控制失氧度在3%以下，平均粒径小于70nm；

步骤2所述的清洗玻璃基片步骤包括：

1）按要求切割一定尺寸的玻璃基片；

2）用6mol/L的氢氧化钠的溶液浸泡1小时，并用去离子水超声清洗3次；

3）用H₂SO₄︰H₂O₂ = 5︰1的溶液超声清洗30分钟，再用去离子水超声清洗3次； 4）用丙酮超声清洗10分钟，再用无水乙醇超声清洗10分钟；

5）用高纯氮气吹干备用；

步骤4所述的采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层的工艺为：

1）基片加热温为300℃～350℃；

2）靶材与基片的距离为8cm～10cm；

3）溅射功率为70W～90W；

4）溅射气压为2Pa；

5）通入氩气和氧气，氧气含量占总气体流量的比例为20%；

6）厚度控制为10nm～30nm；

在步骤4采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层的工艺基础上，步骤5所述的生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜的工艺为：

1）基片加热温为400℃～450℃；

2）靶材与基片的距离为8～10cm；

3）溅射功率为125W～150W；

4）溅射气压为2.0 Pa～2.5Pa；

5）氧气含量占总气体流量的比例为20%，且氧气含量按每沉积5nm降低2%的规律往下调至0%，随后在氧化含量为0%的条件再溅射至 所需求薄膜厚度；

6）薄膜厚度控制为150nm～800nm。

2.根据权利要求1所述的一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其特征在于：采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层的工艺为：基片加热温度控制为350℃，靶材与基片的距离为8cm，溅射功率为90W，溅射气压为2Pa，氧气含量占总气体流量的比例为20%，厚度为25nm。

3.根据权利要求1所述的一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其特征在于：制备的工艺条件为：基片加热温度控制为430℃，靶材与基片的距离为8 cm，溅射功率为135W，溅射气压为2.2Pa，氧气含量占总气体流量的比例为20%，且氧气含量按每沉积5nm降低2%的规律往下调至0%，随后在氧化含量为0%的条件再溅射至所需求薄膜厚度，厚度为500nm。