[发明专利]通过表面动力学模型优化进行蚀刻轮廓匹配的方法和装置

权利要求书

1.一种优化计算机化模型的方法，其通过使用多个模型参数将半导体器件上的蚀刻特征轮廓与成组的独立输入参数相关联，所述方法包括：

(a)为所选定的待优化的成组的所述模型参数确定成组的值；

(b)为所选定的成组的独立输入参数确定多组成组的值以进行优化；

(c)对于在(b)中所指定的每组成组的值，接收从使用在(b)中所指定的所述成组的值执行的试验蚀刻工艺得到的试验蚀刻轮廓；

(d)对于在(b)中所指定的每组成组的值，由所述模型使用在(a)和(b)中所指定的所述成组的值生成计算蚀刻轮廓；以及

(e)修改在(a)中为所选定的成组的模型参数所指定的一个或多个值，并且用经修改的所述成组的值重复(d)，以便对于在(b)中为所选定的独立输入参数所指定的所有成组的值，减少指示在(c)中所接收的所述试验蚀刻轮廓和在(d)中生成的对应的计算蚀刻轮廓之间的组合差的尺度；

其中在(e)中的计算所述尺度包括：

将所述计算蚀刻轮廓和对应的试验蚀刻轮廓投射到经降维的子空间上；以及

计算投射到所述子空间上的所述轮廓之间的差。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

在(c)中测得的所述试验蚀刻轮廓各自包括一系列蚀刻轮廓坐标的一系列试验值；以及

在(d)中生成的所述计算蚀刻轮廓各自包括所述一系列蚀刻轮廓坐标的一系列生成值。

3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述经降维的子空间包括由所述蚀刻轮廓坐标的值表示的所述试验蚀刻轮廓的主成分分析(PCA)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述尺度是在(c)中测得的每个试验蚀刻轮廓的所述一系列的蚀刻轮廓坐标的所述一系列试验值和在(d)中生成的相应的计算蚀刻轮廓的所述一系列的蚀刻轮廓坐标的所述一系列生成值之间的差的平方和。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包括重复(e)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中重复(e)直到获得关于在(a)中所选定的所述模型参数的误差的基本上局部的最小值。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述计算机化模型计算表示与时间成函数关系的所述特征轮廓的网格点处的局部蚀刻速率。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述模型参数包括热速率常数、反应物和产物粘附系数、以及反应物和产物扩散常数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述(b)中的为所述成组的蚀刻工艺参数选择所述多组成组的值的包括PCA。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，对于独立输入参数和对应的测得的蚀刻轮廓的级联向量执行所述PCA。