[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及具有导电互连线的半导体器件。

背景技术

为了满足对具有小特征尺寸、大容量和高密度的半导体器件的日益增长的需要，减小半导体器件的金属线的节距是必要的。金属线的节距的减小会导致半导体器件的寄生电容的增大，结果半导体器件会经历性能劣化。因此，正在进行各种研究以实现包括低电阻金属线和低k介电材料而没有例如寄生电容的增大的技术问题的半导体器件。

发明内容

本发明构思的一些实施方式提供高度可靠的半导体器件。

本发明构思的一些实施方式提供配置为实现快操作速度和低寄生电容的半导体器件。

根据本发明构思的一方面，半导体器件可以包括：基板，具有第一区和第二区；第一中间绝缘层，在基板上并限定开口；导电图案，在开口中，在基板的第二区上限定空气间隙，该空气间隙限定在导电图案之间；第一至第四绝缘图案，堆叠在基板的第一区上以覆盖导电图案；和第二中间绝缘层，在第四绝缘图案上。第四绝缘图案可以延伸为包括覆盖第二区上的导电图案的至少一部分。

根据本发明构思的一方面，半导体器件可以包括：基板；中间绝缘层，在基板上并限定开口；阻挡图案，在开口的底表面和侧表面上；金属图案，在开口中并在阻挡图案上，该金属图案包括第一部分和第二部分，该第一部分暴露阻挡图案的内侧表面，该第二部分具有比第一部分的顶表面高的顶表面；和第一至第四绝缘图案，堆叠在中间绝缘层和金属图案上。第一绝缘图案可具有与金属图案的第一部分的顶表面和第二部分的顶表面接触的底表面。

根据本发明构思的一方面，半导体器件可以包括：基板；在基板上的第一中间绝缘层；导电图案，在第一中间绝缘层中，在导电图案之间限定空气间隙；第一绝缘图案，在第一中间绝缘层上以覆盖导电图案的顶表面；在第一绝缘图案上的第二绝缘图案；在第二绝缘图案上的第三绝缘图案；在第三绝缘图案上的第四绝缘图案；和在第四绝缘图案上的第二中间绝缘层。第一至第四绝缘图案可以在导电图案之间以及在第一中间绝缘层和空气间隙之间。

根据本发明构思的一方面，半导体器件包括：基板，具有第一区和第二区；在基板上的第一中间绝缘层；开口，在第一和第二区中的第一中间绝缘层中；在开口中的导电图案；空气间隙，在第二区中的导电图案之间；第一至第四绝缘图案，在基板的第一区上以覆盖第一中间绝缘层和导电图案，该第一至第四绝缘图案中至少一个绝缘图案覆盖第二区中的第一中间绝缘层和导电图案；和在第四绝缘图案上的第二中间绝缘层。

附图说明

图1是根据发明构思的一些实施方式的半导体器件的平面图。

图2是沿图1的线I-II截取的截面图。

图3是图2的部分‘III’的放大截面图。

图4A、4B和4D至4H是示出根据发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法的截面图。

图4C是图4B的部分‘IV’的放大截面图。

图5是示出根据发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图。

图6是示出根据发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图。

图7是示出根据发明构思的一些实施方式的半导体器件的截面图。

具体实施方式

图1是根据发明构思的一些实施方式的半导体器件1的平面图。图2是沿图1的线I-II截取的截面图。