[发明专利]在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法

说明书

一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法包含：由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果，这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个；由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数；以及由该ZQ校准控制器根据该多数，决定电阻校准方向，使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码，并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。

技术领域

本发明的各种形式关于存储器装置的ZQ校准，且更具体而言，是关于一种在ZQ校准中决定电阻校准方向的方法。

背景技术

为得到更佳的信号完整性，自第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR3SDRAM)出现以来，ZQ校准即被用以在不管制程-电压-温度(Process-Voltage-Temperature；PVT)波动的情况下校准内部终端电阻(On Die Termination；ODT)，并追踪上拉/下拉电阻。通常，可经由以下步骤来执行ZQ校准：由比较器比对一参考信号与一目标信号；由ZQ校准控制器依据比对结果产生一校准码；由该ZQ校准控制器将该校准码应用至电阻校准单元(上拉/下拉电阻校准单元)，以经由该电阻校准单元调整目标信号；以及以经调整目标电压替换目标电压，并重复以上步骤直至目标电压等于或几乎等于参考电压为止。依赖于具有各种噪声及干扰的系统环境，比较器的比对结果可能不正确或被误判。一旦比对结果不正确或被误判，由ZQ校准控制器所产生的校准码便可能与能够趋使目标电压接近参考电压的最终校准码有很大偏差，且这样的偏差在ZQ校准控制器使用二分搜寻方法(dichotomy searchmethod)来产生校准码时尤其如此。为此目的，在所属技术领域中，如何在存储器装置的ZQ校准中避免使比较器为ZQ校准控制器提供不正确的比对结果将十分重要。

发明内容

以下内容呈现了本发明的一个或多个形式的摘要说明，由此提供对本发明的基本理解。该摘要说明内容并非有意概括本发明的所有形式。另外，该摘要说明既不是为了确认本发明的任一或所有形式的关键或必要组件，也不是为了描述本发明的任一或所有形式的范围。该摘要说明的目的仅是以一种简单形式来呈现本发明的部分形式的某些概念，以作为随后详细描述的一个引言。

本发明的一种形式提供一种在存储器的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法。该方法包含下列步骤：由一比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果，这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个；由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数；以及由该ZQ校准控制器根据该多数，决定电阻校准方向，使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码，并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。经由决定奇复数个比对结果的多数，即使某些比对结果因各种噪声及干扰而变成不正确的，ZQ校准控制器仍可产生所需校准码，且该所需校准码接近于能够趋使目标电压接近参考电压的最终校准码。因此，上述方法提供了一种关于在存储器装置的ZQ校准中如何避免使比较器为ZQ校准控制器提供不正确的比对结果的解决方案。

参照附图与以下实施方式，本发明的其他实施细节及实例性实施例将更清楚。此外，应理解，参照附图与以下实施方式，本发明所属技术领域中普通技术人员将可轻易明了本发明的其他形式。

附图说明

图1是根据一个或多个实施例概念性地例示存储器装置的ZQ校准的实例的流程图。

图2是根据一个或多个实施例概念性地例示用于实施ZQ校准的架构的实例的方块图。

图3是根据一个或多个实施例概念性地例示由ZQ校准控制器针对比较器的比对结果的状态决定这些比对结果的多数的实例的示意图。

图4是根据一个或多个实施例概念性地例示ZQ校准控制器的实例的方块图。