[发明专利]对图像传感器进行时钟控制的方法

权利要求书

1.一种成像系统，包括：

光敏元件阵列；

多个垂直电荷耦合器件，所述多个垂直电荷耦合器件各自耦接到所述光敏元件阵列中相应的光敏元件列；

上部水平电荷耦合器件，所述上部水平电荷耦合器件耦接到所述多个垂直电荷耦合器件；

下部水平电荷耦合器件，所述下部水平电荷耦合器件耦接到所述多个垂直电荷耦合器件，其中所述多个垂直电荷耦合器件将电荷从所述光敏元件阵列转移到所述上部水平电荷耦合器件和所述下部水平电荷耦合器件中的至少一者；

校准垂直电荷耦合器件，所述校准垂直电荷耦合器件耦接到所述上部水平电荷耦合器件和所述下部水平电荷耦合器件中的至少一者；以及

电荷注入结构，所述电荷注入结构将测试电荷注入到所述校准垂直电荷耦合器件的中间行，其中所述电荷注入结构包括：

注入二极管；以及

注入栅极，所述注入栅极插置在所述注入二极管与所述校准垂直电荷耦合器件的中间行之间，其中所述注入二极管通过所述注入栅极向所述校准垂直电荷耦合器件的所述中间行提供所述测试电荷。

2.根据权利要求1所述的成像系统，其中所述电荷注入结构包括第一电荷注入结构，其中所述测试电荷包括第一测试电荷，其中所述校准垂直电荷耦合器件包括第一校准垂直电荷耦合器件，并且其中所述成像系统还包括：

第二校准垂直电荷耦合器件，所述第二校准垂直电荷耦合器件耦接到所述上部水平电荷耦合器件和所述下部水平电荷耦合器件中的至少一者；以及

第二电荷注入结构，所述第二电荷注入结构将第二测试电荷注入到所述第二校准垂直电荷耦合器件的中间行。

3.根据权利要求2所述的成像系统，其中所述光敏元件阵列的第一列和最后一列包括具有阻光结构的暗列，所述阻光结构防止所述暗列中的光敏元件接收入射光。

4.根据权利要求3所述的成像系统，其中所述光敏元件阵列的第一行和最后一行是具有阻光结构的暗行，所述阻光结构防止所述暗行中的光敏元件接收入射光。

5.根据权利要求4所述的成像系统，其中所述成像系统分成四个象限，并且其中所述四个象限中的每一者包括：

电荷开关，所述电荷开关从所述上部水平电荷耦合器件和所述下部水平电荷耦合器件中的一者接收电荷；

电子倍增器装置；

第一成像系统输出端，所述第一成像系统输出端耦接到所述电子倍增器装置；以及

第二成像系统输出端，其中所述电荷开关耦接在所述第二成像系统输出端与所述电子倍增器装置之间，并且其中在第一构造中，所述电荷开关选择性地将所述电荷开关接收的电荷通过所述电子倍增器装置传递到所述第一成像系统输出端，并且在第二构造中传递到所述第二成像系统输出端。

6.根据权利要求5所述的成像系统，其中所述电荷开关基于所述电荷开关接收的电荷的量值选择性地传递所接收的电荷。

7.根据权利要求6所述的成像系统，其中所述四个象限中的每一者还包括：

浮栅放大器；以及

浮栅感测节点，所述浮栅感测节点耦接到所述浮栅放大器并且插置到所述上部水平电荷耦合器件和所述下部水平电荷耦合器件中的对应一者，其中所述浮栅感测节点和所述浮栅放大器测量所接收的电荷的所述量值。

8.根据权利要求3所述的成像系统，其中所述第一校准垂直电荷耦合器件和所述第二校准垂直电荷耦合器件分别从所述第一电荷注入结构和所述第二电荷注入结构仅接收测试电荷。