[发明专利]一种感性负载电路及消除电流尖峰的方法在审
| 申请号： | 201611163001.3 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106712562A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王伟毅;王迟 | 申请（专利权）人： | 宁波央腾汽车电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 感性 负载 电路 消除 电流 尖峰 方法 | ||
1.一种抑制支路，其特征在于，所述抑制支路用于耦接于MOS管的源极和栅极之间，所述的MOS管用于驱动感性负载；
所述抑制支路包括
开通元件，当对应MOS管的栅极接收关断信号时，所述开通元件导通所述抑制支路；
抑制模块，当所述开通元件导通时，所述抑制模块于源极产生一维持电压。
2.如权利要求1所述的抑制支路，其特征在于，当对应MOS管的栅极接收开启信号时，所述开通元件截止所述抑制支路。
3.如权利要求2所述的抑制支路，其特征在于，所述开通元件设置为二极管，所述二极管的阴极用于耦接于对应MOS管的源极。
4.如权利要求1所述的抑制支路，其特征在于，所述抑制模块包括一储能元件，当所述开通元件导通时，所述储能元件保持维持电压第一预设时间。
5.如权利要求4所述的抑制支路，其特征在于，所述储能元件设置为电容且所述电容与位于同一抑制支路的开通元件串联设置。
6.如权利要求5所述的抑制支路，其特征在于，所述电容并联有放电电阻。
7.一种感性负载电路，通过若干MOS管驱动感性负载工作，其特征在于，每一所述MOS管的源极和栅极之间耦接有如权利要求1-6任一项所述的抑制支路。
8.一种消除MOS管关断过冲电压的电路安装方法，将如权利要求1-6任一项所述的抑制支路耦接于MOS管的源极和漏极之间。
9.一种消除MOS管关断过冲电压的方法，其特征在于：
步骤一，提供一开通元件耦接于MOS管的源极和栅极之间,用以通过MOS管源极和栅极的电压差判断MOS管的关断瞬间；
步骤二，提供一抑制模块耦接于开通元件，用以于关断瞬间时输出一维持电压至MOS管的栅极；
步骤三，提供一储能单元耦接于开通元件，用以于第一预设时间后使维持电压至零。
10.一种消除MOS管关断过冲电压的方法，其特征在于：
步骤一，提供一开通元件耦接于MOS管的源极和栅极之间,用以通过MOS管源极和栅极的电压差判断MOS管的关断瞬间；
步骤二，提供一抑制模块耦接于开通元件，用以于关断瞬间时输出一维持电压至MOS管的栅极；
步骤三，提供一储能单元耦接于开通元件，用以于在第一预设时间内使维持电压减小至零。
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