[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的生长方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

在衬底上生长低温缓冲层；

将生长温度以不超过设定速率的速率升高至设定温度；

将生长压力升高至第一设定压力，并在第一设定时间段内保持为所述第一设定压力生长第一GaN层；

将生长压力降低至第二设定压力，并在第二设定时间段内保持为所述第二设定压力生长第二GaN层，所述第二GaN层和所述第一GaN层组成过渡层；

在所述过渡层上生长N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长应力释放层；

在所述应力释放层上生长有源层；

在所述有源层上生长P型电子阻挡层；

在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一设定时间段和所述第二时间段的比值为2:1～12:1。

3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述设定温度为1230～1330℃。

4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述过渡层为没有掺杂的GaN层，或者所述过渡层为掺杂Si的GaN层，所述过渡层中Si的掺杂浓度为10¹⁸～5*10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述过渡层为没有掺杂的GaN层，或者所述过渡层由没有掺杂的GaN层和掺杂Al的GaN层交替层叠而成。

6.一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

在衬底上生长低温缓冲层；

将生长温度以不超过设定速率的速率升高至设定温度；

将生长压力升高至第一设定压力，并在第一设定时间段内保持为所述第一设定压力生长第一GaN层；

将生长压力降低至第二设定压力，并在第二设定时间段内保持为所述第二设定压力生长第二GaN层；

将生长压力升高至第三设定压力，并在第三时间段内保持为所述第三设定压力生长第三GaN层，所述第三GaN层、所述第二GaN层、以及所述第一GaN层组成过渡层；

在所述过渡层上生长N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长应力释放层；

在所述应力释放层上生长有源层；

在所述有源层上生长P型电子阻挡层；

在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第一设定时间段、所述第二时间段、以及所述第三时间段的比值为2:1:1～8:1:4。

8.根据权利要求6或7所述的生长方法，其特征在于，所述设定温度为1230～1330℃。

9.根据权利要求6或7所述的生长方法，其特征在于，所述过渡层为没有掺杂的GaN层，或者所述过渡层为掺杂Si的GaN层，所述过渡层中Si的掺杂浓度为10¹⁸～5*10¹⁸cm^-3。

10.根据权利要求6或7所述的生长方法，其特征在于，所述过渡层为没有掺杂的GaN层，或者所述过渡层由没有掺杂的GaN层和掺杂Al的GaN层交替层叠而成。