[发明专利]喷头组件有效
申请号: | 201611155757.3 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106906453B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 约翰·威尔特斯;达米安·斯莱文 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 组件 | ||
1.一种在用于处理半导体衬底的沉积设备中有用的喷头的面板,所述面板具有不对称的气孔图案,其中所述气孔沿着曲线间隔开,所述曲线在所述面板的中心向外处相交,所述气孔图案具有延伸穿过所述面板的非径向和非同心分布的气孔并且所述气孔以伏格尔模式布置。
2.根据权利要求1所述的面板,其中所述气孔位于所述曲线的相交处,其中所述曲线围绕所述面板的中心沿顺时针和逆时针方向向外延伸,顺时针线在沿逆时针线的单个位置处与所述逆时针线相交。
3.根据权利要求1所述的面板,其中,所述面板包括容纳所述气孔的底壁、从所述底壁的外周向上延伸的侧壁、从所述侧壁的上端向内延伸的顶壁。
4.根据权利要求1所述的面板,其中,所述面板包括从所述底壁的上表面向上延伸的柱,所述柱成锥形且在所述底壁的上表面处直径较小。
5.根据权利要求1所述的面板,其中气孔位于所述面板的中心。
6.根据权利要求2所述的面板,其中沿顺时针曲线定位的相邻气孔之间的距离等于,±10%,沿逆时针曲线定位的相邻气孔之间的距离。
7.根据权利要求2所述的面板,其中气孔的顺时针曲线的总数和气孔的逆时针曲线的总数是斐波那契序列的连续成员。
8.根据权利要求2所述的面板,其中(a)气孔的顺时针曲线的总数与气孔的逆时针曲线的总数的比近似等于黄金比(1.6180)或(b)气孔的逆时针曲线的总数对孔的顺时针曲线的总数的比近似等于黄金比率(1.6180)。
9.根据权利要求2所述的面板,其中(a)在所述气孔图案的外周处具有少于100个的气孔的逆时针曲线和至少140个的气孔的顺时针曲线,或者(b)在气孔图案的外周处具有少于100个的气孔的顺时针曲线和至少140个的气孔的逆时针曲线。
10.根据权利要求2所述的面板,其中每个所述气孔具有0.04±10%英寸的直径。
11.根据权利要求1所述的面板,其中所述气孔的图案具有至少3000个气孔。
12.根据权利要求1所述的面板,其中所述气孔图案具有从所述面板的中心到所述气孔图案的外周的每单位面积相同,±10%,数量的气孔。
13.根据权利要求1所述的面板,其中,每个所述气孔具有由极坐标rn和θn根据以下公式定义的径向位置:
θn=c1|n和
其中c1和c2是常数,且c1/2pi是无理数。
14.根据权利要求13所述的面板,其中c1是黄金角(2.39996弧度或137.508°)。
15.根据权利要求1所述的面板,其中(a)所述孔的密度(每单位面积的孔数)在所述面板上变化,使得所述孔的密度在所述面板的外部区域中比在所述面板的内部区域至少大10%或孔的密度在所述面板的内部区域中比在所述面板的外部区域大至少10%,或者(b)所述气孔图案没有对称线和所述孔均匀分布。
16.一种用于处理衬底的沉积设备,所述沉积设备包括:
真空室,其包括其中可以处理衬底的处理区;
与所述真空室流体连通的至少一个气体源,所述至少一个气体源可操作以在处理期间将工艺气体供应到所述真空室中;
包括如权利要求1所述的面板和背板的喷头组件,所述背板包括与所述至少一个气体源流体连通的至少一个气体入口,所述面板中的所述气孔在处理期间将所述工艺气体分配到所述真空室中;和
衬底基座组件,其被配置为当在所述沉积设备中处理衬底时将所述衬底支撑在其上表面上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的