[发明专利]磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法有效
| 申请号： | 201611155264.X | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108220897B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 曹逊;金平实;常天赐;龙世伟;孙光耀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郑优丽;熊子君<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化钒薄膜 磁控溅射 低温制备 衬底 可见光区域 二氧化钒 晶格常数 模板诱导 生长过程 缓冲层 优选 制备 薄膜 匹配 透明 生长 | ||
1.一种低温沉积二氧化钒热致变色薄膜的方法，其特征在于，包括：
（1）在玻璃衬底上制备Cr2O3层，所述Cr2O3层通过磁控溅射方法制备，所述Cr2O3层的制备中，
以Cr为靶材，溅射电源采用直流或射频溅射，以高纯Ar气和O2气为工作气体，Ar气和O2气流量比为（0.25～4）：1；或者以Cr2O3陶瓷为靶材，溅射电源采用射频溅射，以Ar工作气体；
背底真空小于5×10-3Pa，溅射时工作气体的总压保持在0.2～1.2Pa，衬底温度为150～190℃，溅射功率为50～200 W；
（2）在形成有Cr2O3层的玻璃衬底上磁控溅射二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜的制备中，
以金属V靶为靶材，溅射方式采用直流或射频，以高纯Ar气和O2气为工作气体，Ar气和O2气流量比（10～12）：1；或者
以V2O3靶或VO2靶为靶材，溅射方式采用直流或射频，以高纯Ar气和O2气为工作气体，Ar气和O2气流量比为（20～40）：1；或者
以V2O5靶为靶材，溅射方式采用射频，以高纯Ar气和H2气为工作气体，Ar气和H2气流量比为（15～40）：1，
背底真空小于5×10-3Pa，溅射时工作气体的总压保持在0.2～1.2Pa，衬底温度为150～190℃，溅射功率为20 ～200W。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cr2O3层的厚度为10～200 nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，二氧化钒薄膜的厚度为20～200 nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，磁控溅射二氧化钒薄膜后无需退火处理。
5.一种由权利要求1至4中任一项所述的方法制备的二氧化钒热致变色薄膜。
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