[发明专利]一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层

权利要求书

1.一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，其特征在于：所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N；其中，N≥2，A材料的晶格常数为a，B材料的晶格常数为b，a与b不同。

2.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，其特征在于：所述A、B材料具有相同的空间晶格点阵结构。

3.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，其特征在于：所述A、B材料具有相同或者不同的元素种类数目。

4.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，其特征在于：所述A、B材料的厚度比的变化方式具体为：N:1，(N-1):2，(N-2):3，(N-3):4，……，4:(N-3)，3:(N-2)，2:(N-1)，1:N。

5.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，其特征在于：所述缓冲层的总厚度为T nm，T>0。