[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201611152514.4 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106898612B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 木村泰一;西之原拓磨;糸贺敏彦;秋元肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
具有挠性的基板;
包括所述具有挠性的基板上的晶体管和显示元件的像素;
对所述像素发送信号的在一个方向上延伸的第一配线;
在与所述一个方向交叉的方向上延伸的第二配线;
所述第一配线或所述第二配线的上层的无机绝缘层;和
所述无机绝缘层的上层的有机绝缘层,
所述无机绝缘层具有使所述第一配线和所述第二配线中的至少一者的上面部露出的开口部,所述有机绝缘层以填埋所述开口部且与从所述开口部露出的所述第一配线和所述第二配线中的至少一者的上面部接触的方式设置,
所述开口部沿着所述像素的一个边设置在所述基板弯曲的区域。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一配线为对所述晶体管的栅极发送信号的栅极配线。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第二配线为对所述像素发送数据信号的数据配线。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一配线为对所述晶体管的栅极发送信号的栅极配线,所述第二配线设置在所述第一配线的上层,是对所述像素发送数据信号的数据配线,
所述无机绝缘层设置在所述第一配线与所述第二配线之间,具有在所述第一配线的上面开口的开口部,
所述有机绝缘层与从所述开口部露出的所述第一配线的上面部接触。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一配线为对所述晶体管的栅极发送信号的栅极配线,所述第二配线设置在所述第一配线的上层,是对所述像素发送数据信号的数据配线,
所述无机绝缘层具有:设置在所述第一配线与所述第二配线之间的第一无机绝缘层;和设置在所述第二配线与所述有机绝缘层之间的第二无机绝缘层,
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的叠层具有在所述第一配线的上面部开口的第一开口部,
所述第二无机绝缘层具有在所述第二配线的上面部开口的第二开口部,
所述有机绝缘层与从所述第一开口部露出的所述第一配线的上面部接触,且与从所述第二开口部露出的所述第二配线的上面部接触。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一配线为对所述晶体管的栅极发送信号的栅极配线,所述第二配线设置在所述第一配线的上层,是对所述像素发送数据信号的数据配线,
所述无机绝缘层具有:设置在所述第一配线与所述第二配线之间的第一无机绝缘层;和设置在所述第二配线与所述有机绝缘层之间的第二无机绝缘层,
所述第一无机绝缘层在与所述第二配线重叠的区域具有第一开口部,
所述第二无机绝缘层具有在所述第二配线的上面部开口的第二开口部,
所述有机绝缘层与从所述第二开口部露出的所述第二配线的上面部接触,
所述第二配线在所述第一开口部中与沿着所述第二配线设置的金属图案层接触。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述晶体管包括半导体层、所述半导体层上的栅极绝缘层和所述栅极绝缘层上的栅极电极,
所述像素包括与所述半导体层设置在同层的被添加有一种导电型的杂质的半导体配线区域,
所述无机绝缘层具有使所述半导体配线区域的上面部露出的开口部。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
在使所述半导体配线区域的上面部露出的开口部中设置有金属配线层。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述有机绝缘层在与所述开口部重叠的区域具有膜厚变大的凸部。
10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述有机绝缘层在与所述开口部重叠的区域具有膜厚变小的凹部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的