[发明专利]具有短路保护的栅极驱动器

权利要求书

1.一种用于操作场效应晶体管(12)(FET 12)的栅极驱动器装置(10)，所述装置(10)包括：

拉低模块(16)，其可操作用于将FET(12)的栅极(18)驱动到低电压(20)；以及

拉高模块(22)，其可操作用于将所述FET(12)的栅极(18)驱动到高电压(32)，其中所述拉高模块(22)包括电阻式拉高器件(24)和电流拉高器件(28)，所述电阻式拉高器件(24)可操作为导通状态和断开状态以经由上部电阻元件(26)将所述栅极(18)可切换地耦合到所述高电压(32)，所述电流拉高器件(28)与所述电阻式拉高器件(24)并联设置，其中所述电流拉高器件(28)可操作为导通状态和断开状态以控制施加到所述栅极(18)的电流源(30)，

其中，当所述拉高模块(22)将所述栅极(18)驱动到高电压(32)时，所述电阻式拉高器件(24)从所述断开状态操作到所述导通状态，所述电流拉高器件(28)从所述断开状态操作到所述导通状态，并且随后在所述电阻式拉高器件(24)从所述断开状态操作到所述导通状态后的导通间隔(42)之后，所述电阻式拉高器件(24)操作到所述断开状态，同时所述电流拉高器件(28)保持在导通状态。

2.根据权利要求1所述的装置(10)，其中所述拉高模块(22)同时将所述电阻式拉高器件(24)从断开状态操作到导通状态以及将所述电流拉高器件(28)从断开状态操作到导通状态。

3.根据权利要求1所述的装置(10)，其中所述拉低模块(16)包括电阻式拉低器件(34)和电流拉低器件(38)，所述电阻式拉低器件(34)可操作为导通状态和断开状态以经由下部电阻元件(36)将所述栅极(18)可切换地耦合到低电压(20)，所述电流拉低器件(38)与所述电阻式拉低器件(34)并联设置，其中所述电流拉低器件(38)可操作为导通状态和断开状态以控制施加到所述栅极(18)的电流吸收器(40)。

4.根据权利要求3所述的装置(10)，其中，当所述拉低模块(16)将所述栅极(18)驱动到低电压(20)时，所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态，所述电流拉低器件(38)从断开状态操作到导通状态，并且随后在所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态后的断开间隔(44)之后，所述电阻式拉低器件(34)操作到断开状态，同时所述电流拉低器件(38)保持在导通状态。

5.根据权利要求4所述的装置(10)，其中所述拉低模块(16)同时将所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态，以及将所述电流拉低器件(38)从断开状态操作到导通状态。

6.根据权利要求3所述的装置(10)，其中，当所述拉高模块(22)将所述栅极(18)驱动到高电压(32)时，所述电阻式拉高器件(24)从断开状态操作到导通状态，同时所述电流拉高器件(28)从断开状态操作到导通状态，并且随后在所述电阻式拉高器件(24)从断开状态操作到导通状态后的导通间隔(42)之后，所述电阻式拉高器件(24)操作到断开状态，同时所述电流拉高器件(28)保持在导通状态，并且其中，当所述拉低模块(16)将所述栅极(18)驱动到低电压(20)时，所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态，同时所述电流拉低器件(38)从断开状态操作到导通状态，并且随后在所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态后的断开间隔(44)之后，所述电阻式拉低器件(34)操作到断开状态，同时所述电流拉低器件(38)保持在导通状态。

7.一种用于操作场效应晶体管(12)(FET 12)的栅极驱动器装置(10)，所述装置(10)包括：

拉高模块(22)，其可操作用于将FET(12)的栅极(18)驱动到高电压(32)；以及

拉低模块(16)，其可操作用于将所述FET(12)的栅极(18)驱动到低电压(20)，其中所述拉低模块(16)包括电阻式拉低器件(34)和电流拉低器件(38)，所述电阻式拉低器件(34)可操作为导通状态和断开状态以经由下部电阻元件(36)将所述栅极(18)可切换地耦合到低电压(20)，所述电流拉低器件(38)与所述电阻式拉低器件(34)并联设置，其中所述电流拉低器件(38)可操作为导通状态和断开状态以控制施加到所述栅极(18)的电流吸收器(40)，

其中，当所述拉低模块(16)将所述栅极(18)驱动到低电压(20)时，所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态，所述电流拉低器件(38)从断开状态操作到导通状态，并且随后在所述电阻式拉低器件(34)从断开状态操作到导通状态后的断开间隔(44)之后，所述电阻式拉低器件(34)操作到断开状态，同时所述电流拉低器件(38)保持在导通状态。