[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法

说明书

本公开提出一种半导体装置和制作半导体装置的方法。该装置包括基板，该基板包括主表面和背面。该装置还包括介电分隔，该介电分隔用于将基板的第一部分与基板的第二部分电隔离。介电分隔从主表面延伸穿过基板到背面。

技术领域

本说明书涉及半导体装置和制作半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置的持续微型化已产生以并无不利影响装置的电气性能的方式微型化装置封装的需求。

在分立装置领域中，这种趋势已产生芯片规模封装(CSP)。这种类型的封装一般包括具有主表面和背面的半导体管芯。该装置的电接触被设置在该主表面上。通过将封装的主表面面向下放置在载体上，该封装可以表面安装在载体例如印刷电路上。这可允许在主表面上的接触被焊接到在载体上的对应接触。芯片规模封装可以使用极少的模制化合物(封装剂)或不使用模制化合物(封装剂)。

芯片规模封装(CSP)尤其是倒装芯片封装可以提供具有相对小的封装大小的相对大的基板容积。在一些CSP中，几乎100％的封装体积是硅。

发明内容

在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本公开的方面。来自从属权利要求的特征的组合可以视情况与独立权利要求的特征进行组合，而不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样进行组合。

根据本公开的方面，提供半导体装置，该半导体装置包括：

基板，该基板包括主表面和背面；

一个或多个电接触，该一个或多个电接触位于主表面上；以及

介电分隔，该介电分隔用于将基板的第一部分与基板的第二部分电隔离，其中介电分隔从主表面延伸穿过基板到背面。

根据本公开的另一方面，提供制作半导体装置的方法，该方法包括：

提供具有主表面和背面的晶片；

形成从主表面至少部分地延伸穿过晶片的沟槽；

用介电质至少部分地填充沟槽；

在主表面上形成多个电接触；

从晶片的背面去除材料，至少直至曝露沟槽的底部；以及

切单晶片以形成多个半导体基板，其中该基板中的至少一个基板包括由介电质填充的沟槽形成的介电分隔，其中该介电分隔将基板的第一部分与基板的第二部分电隔离。

提供从主表面延伸穿过基板到背面的介电分隔可以允许位于基板的不同部分中的装置的特征部彼此电隔离。

基板的第一部分可以包括半导体装置的有源区域，并且基板的第二部分可以包括在主表面和背面之间延伸的基板的侧壁。在该例子中，介电分隔可以将基板的侧壁与有源区域电隔离。这可以防止有源区域和可以被用于安装装置的任何焊料之间的电短路，该焊料应当与侧壁接触。设想包括侧壁的基板的一部分自身可以不包括装置的有源区域。在一些例子中，与包括有源区域的基板的一部分的尺寸相比，包括侧壁的基板的一部分可以较薄(例如，大约1-3％)，由此允许减小装置的整体大小。

基板的第一部分可以包括半导体装置的第一有源区域，并且基板的第二部分可以包括半导体装置的第二有源区域。在该例子中，介电分隔可以被用于将第一有源区域和第二有源区域彼此电隔离。

介电分隔可以被成形以限定基板中的至少一个联锁部分。在一些例子中，半导体装置的该(或每个)介电分隔可以包括多个此类联锁部分。

一个或多个联锁部分可以包括位于介电分隔的一侧上的锁定构件和位于该介电分隔的相对侧上的开口。锁定构件可以被收容在开口内，以抑制介电分隔电隔离的基板的部分的物理分离。开口的形状可以与锁定构件的形状一致。