[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；

至少一个源极漏极结构，存在于所述衬底上；

至少一个底部导体，连接至所述源极漏极结构，所述底部导体具有上部部分和介于所述上部部分与所述源极漏极结构之间的下部部分，其中，间隙至少存在于所述底部导体的上部部分与所述第一栅极结构之间；

第一介电层，至少存在于所述底部导体的下部部分与所述第一栅极结构之间；

第二介电层，至少存在于所述第一栅极结构上，所述第二介电层中具有开口；以及

上部导体，电连接至所述底部导体，所述上部导体存在于所述第二介电层的所述开口中并且覆盖位于所述第一介电层上方的所述间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一介电层存在于所述间隙与所述源极漏极结构之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述间隙是气体填充的。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

至少一个第二栅极结构，存在于所述衬底上，其中，所述源极漏极结构存在于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且所述间隙还存在于所述底部导体的上部部分与所述第二栅极结构之间。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

至少一个第二栅极结构，存在于所述衬底上，其中，所述源极漏极结构存在于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且所述第一介电层还存在于所述底部导体的下部部分与所述第二栅极结构之间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述上部导体与所述开口的至少一个侧壁直接接触。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

硬掩模层，至少存在于所述第一栅极结构上，所述硬掩模层中具有第二开口，其中，所述底部导体的上部部分的至少一部分存在于所述第二开口中，所述间隙还存在于所述底部导体的所述上部部分的所述至少一部分与所述第二开口的至少一个侧壁之间。

8.一种半导体结构，包括：

衬底；

至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；

至少一个源极漏极结构，存在于所述衬底上；

至少一个底部导体，电连接至所述源极漏极结构，其中，间隙至少存在于所述底部导体与所述第一栅极结构之间；

第一介电层，至少存在于所述底部导体与所述第一栅极结构之间以及所述间隙与所述源极漏极结构之间；

第二介电层，至少存在于所述第一栅极结构上，所述第二介电层中具有开口；以及

上部导体，电连接至所述底部导体，所述上部导体存在于所述第二介电层的开口中并且覆盖位于所述第一介电层上方的所述间隙。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述间隙中具有气体。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：

至少一个第二栅极结构，存在于所述衬底上，其中，所述源极漏极结构存在于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且所述第一介电层还存在于所述底部导体与所述第二栅极结构之间。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：

至少一个第二栅极结构，存在于所述衬底上，其中，所述源极漏极结构存在于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且所述间隙还存在于所述底部导体与所述第二栅极结构之间。