[发明专利]一种利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法

权利要求书

1.一种利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法，其特征在于，制备体相硫化钼在乙醇水溶液中的分散液，将分散液烘干后进行煅烧，煅烧后的产物进行超临界二氧化碳处理使部分氧化的硫化钼转变成非晶氧化钼纳米片；其中，将体相硫化钼在体积百分比为10-90%的乙醇水溶液中进行2-6h水浴超声，然后将分散液在40-100℃进行烘干获得氧化少层硫化钼；煅烧在温度300～400℃进行60～120min；进行超临界二氧化碳处理的条件为：压力12～20Mpa，温度40～120℃，磁力搅拌下反应3h后释放二氧化碳卸压。

2.如权利要求1所述的利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法，其特征在于，分散液中体相硫化钼的浓度为5-15mg/ml。

3.如权利要求1所述的利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法，其特征在于，进行超临界处理后，将产物进行离心分离取上清液。

4.如权利要求3所述的利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法，其特征在于，离心速率为2000-10000转/min。

5.如权利要求3所述的利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法，其特征在于，将上清液在40-100℃下烘干得到非晶氧化钼纳米片。

6.如权利要求1-5任一所述的利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法，其特征在于，将煅烧后的产物再次分散于10-90%的乙醇水溶液中超声分散均匀后再进行超临界二氧化碳处理。