[发明专利]一种高纯铝硅中间合金及其生产方法有效
申请号: | 201611139394.4 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN106521257B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 徐正祥;葛庆琪;葛红星 | 申请(专利权)人: | 南京云开合金有限公司 |
主分类号: | C22C21/02 | 分类号: | C22C21/02;C22C1/02 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司32112 | 代理人: | 李建芳 |
地址: | 211224 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 中间 合金 及其 生产 方法 | ||
1.一种高纯铝硅中间合金,其特征在于:由如下组分组成:硅10-50%,0.08%≤Mg≤0.3%,杂质Fe≤0.3%,杂质Cu≤0.02%,杂质Zn≤0.02%,杂质Mn≤0.03%,其它杂质总和≤0.15%,和余量的铝;其中,其它杂质中,单个杂质元素含量均小于0.03%,所述百分比为质量百分比;
高纯铝硅中间合金的原料包括:纯度不小于99.7%的铝锭、纯度不小于99.98%的高纯硅、纯度不小于99.9%的镁锭和氟硅酸钠,其中,铝锭、高纯硅、氟硅酸钠和镁锭的质量比为100:(98-102):(1-3):(0.1-0.3),所述百分比为质量百分比;
高纯铝硅中间合金的制备方法,包括顺序相接的如下步骤:
1)先在炉底均匀铺一层铝锭,所铺铝锭质量为铝锭总质量的20-30%;然后将高纯硅均匀铺在铝锭上;再然后将余量的铝锭均匀铺在高纯硅上,最后加入氟硅酸钠,开始熔化;
2)当铝锭全部熔化后,在温度为760±20℃下,用搅拌工具在炉底搅动,搅动的速度以控制高纯硅不浮出液面为准;
3)待高纯硅全部熔化后,进行打渣;
4) 加入镁锭,继续搅拌5±1min后,捞渣;
5)依次进行精炼脱气和捞渣后,浇铸成型,即得高纯铝硅中间合金。
2.如权利要求1所述的高纯铝硅中间合金,其特征在于:步骤1)到步骤5)在氩气的保护下进行。
3.如权利要求1或2所述的高纯铝硅中间合金,其特征在于:步骤3中打渣为:用氩气将打渣剂吹入合金液中进行打渣,打渣时间:10-20分钟,打渣剂用量为每吨高纯铝硅中间合金2.5-4kg。
4.如权利要求3所述的高纯铝硅中间合金,其特征在于:打渣剂为氯化钾、氯化钠和硝酸钙质量比为1:(40-45):(0.2-0.3)的混合物。
5.如权利要求1或2所述的高纯铝硅中间合金,其特征在于:步骤5)中,精炼脱气为:将精炼剂用氩气吹入合金液中进行精炼脱气,精炼时间为20-25分钟,氩气压力为0.1-0.3Mpa,精炼剂的用量为每吨高纯铝硅中间合金2-4公斤。
6.如权利要求5所述的高纯铝硅中间合金,其特征在于:精炼剂为氯化钾、硝酸镁、氯化钠和硝酸钙质量比为(5-15):(10-15):(1-3):(0.2-0.3)的混合物。
7.如权利要求1或2所述的高纯铝硅中间合金,其特征在于:步骤5)中,精炼结束后,将合金液表面浮渣扒干净;然后将合金液在800±10℃的状态下通过流槽导入装有30-40ppi氧化铝陶瓷过滤器的过滤箱体内,对合金液进行在线过滤处理;再然后将经过过滤处理的合金液温度降至740-760℃,再次清除表面浮渣后浇铸成型,即得高纯铝硅中间合金。
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